公开(公告)号：CN1437761A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN00819227.8

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。

公开(公告)号：CN1722368A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510076545.1

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。

公开(公告)号：CN100530542C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510076545.1

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。

公开(公告)号：CN1264199C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN00819227.8

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。