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公开(公告)号:CN119038422A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411144351.X
申请日:2024-08-20
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种线切割机砂浆热交换器更换装置,包括移动台车、升降机构、横向支撑机构、夹持机构;为保证工作时移动台车的整体稳定性,在移动台车上还可增设配重块,移动台车上设置了门型架体,门型架体上设置了可便于人员推移的把手。移动台车的底部采用万向轮结构。升降机构设置于门型架体上。横向支撑机构水平设置于升降机构上,使升降机构能够带动横向支撑机构上下移动。夹持机构设置于横向支撑机构的端部,夹持机构用于夹住热交换器,以便于进行更换。还提供了一种线切割机砂浆热交换器更换方法。本发明在使用时,只需要2人即可安全的进行拆卸、安装,并且在安装的时候还可以旋转热交换器,方便砂浆交换器与设备上方流量器法兰对孔。
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公开(公告)号:CN118928983A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411210673.X
申请日:2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B65D25/10 , B65D25/02 , B65D21/036 , B65D81/02
Abstract: 本发明提供一种硅片周转箱及硅片周装箱的使用方法,涉及硅片盛放装置技术领域,包括第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件,第一防护组件包括底座、防护箱体、顶盖,防护箱体位于底座上部,顶盖位于防护箱体的上部,第二防护组件、第三防护组件位于底座、防护箱体、顶盖形成容纳空腔内,硅片放置在第三防护组件内,底座与防护箱体的下部连接,防护箱体的上部与顶盖连接,第二防护组件的底部与底座接触,第三防护组件镶嵌在第二防护组件内,第二防护的顶部与顶盖接触,以通过第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件相互进行支撑、借力对硅片进行逐级防护,防止硅片在转运过程中受外力影响,导致硅片损伤,进而使得硅片浪费减少。
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公开(公告)号:CN118814914A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411212189.0
申请日:2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带有纯水补给的冷却塔冷却水供水系统及方法,包括:冷却塔、冷却塔冷却水供水管路、自来水供水单元以及纯水供水单元,冷却塔通过冷却塔冷却水供水管路分别与自来水供水单元、纯水供水单元连接;自来水供水单元包括自来水管,自来水管连接自来水房与冷却塔冷却水供水管路,自来水管上安装有切断阀;纯水供水单元包括纯水供水管路、纯水供水管路阀门、密闭水池以及纯水房,冷却塔冷却水供水管路、密闭水池以及纯水房之间通过纯水供水管路依次连接,纯水供水管路上设置有纯水供水管路阀门;密闭水池设于冷却塔的下部,以汇集从冷却塔落下的冷却水,本发明通过采用纯水辅助供水从而降低冷却塔的运营成本。
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公开(公告)号:CN118685850A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410762951.6
申请日:2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法,属于单晶硅生产技术领域,包括:单晶炉,单晶炉内部设置有坩埚;热屏,热屏设置在坩埚的上方,热屏包括上段热屏和下段热屏,上段热屏包括倾斜段和竖直段,下段热屏包括下段外侧和下段内侧,下段外侧与竖直段连接,且下段外侧倾斜设置,以增大熔体表面氧元素的挥发量;石墨中轴,石墨中轴设置在坩埚的下方,石墨中轴中心设置有合金中轴,合金中轴下方安装有升降装置,且合金中轴内部通入有冷却水,以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置,来控制坩埚的温度,减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构,在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下,将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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公开(公告)号:CN118639316A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410856368.1
申请日:2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/30
Abstract: 本发明的半导体生长炉用取晶装置,属于单晶炉取晶装置领域,包括承载组件,承载组件包括夹持部、承重部,夹持部包括支撑竖板、连接臂、弧形夹持件,承重部包括:托架,连接臂的一端与所述支撑竖板连接,连接臂的另一端与所述弧形夹持件连接,位于同一水平面的所述弧形夹持件相对设置,所述托架与所述支撑竖板连接,当晶棒拉制完成后,将所述承载组件移动至取晶孔位置,籽晶提拉装置在籽晶绳的牵引下,将晶棒从上炉体内下降到取晶孔,晶棒从取晶孔的位置下降至托架上,当晶棒的底部与托架底部接触时,所述弧形夹持件将晶棒卡紧,然后剪断籽晶绳,即可完成晶棒的取出,仅通过本发明的装置便可完成晶棒的取出,步骤简单,使用方便。
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公开(公告)号:CN118441348A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410528275.6
申请日:2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/26 , C30B29/06 , G01F23/292
Abstract: 本发明提供一种液口距测量方法及装置,属于单晶硅制备技术领域。包括如下步骤:获取双目相机到导流筒上沿的距离H1,及双目相机到导流筒倒影的距离H2;获取导流筒高度D1;获取热屏下沿到导流筒下沿的距离D2;根据双目相机到导流筒上沿的距离H1、双目相机到导流筒倒影的距离H2、导流筒高度D1以及热屏下沿到导流筒下沿的距离D2,通过计算公式计算得到液口距GAP,以导流筒为参考,利用双目相机测距原理来确定导流筒与硅溶液液面的距离,再根据导流筒与热屏之间的距离从而确定热屏到硅溶液液面的距离,即液口距,从而操作简单,无需控制籽晶的下降距离与热屏之间的关系,使得液口距的测量结果准确,精度高。
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