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公开(公告)号：CN106252505B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201510800379.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底电极侧壁和顶电极侧壁向回凹进。本发明的实施例还涉及RRAM器件和方法。
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公开(公告)号：CN110931497A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910887429.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11568 , H01L29/423
Abstract: 根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例，还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107055460B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610867595.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及形成一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法。在第一衬底的第一侧中形成多个开口。在该衬底的第一侧上方形成介电层。介电层的多个部段填充开口。第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化成MEMS器件的多个可移动的组件。可移动的组件与介电层物理接触。随后，在没有使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。本发明的实施例还提供了另一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法以及一种装置。
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公开(公告)号：CN106252330B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510731456.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11521 , H01L29/788 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及一种闪存器件以及相关方法。在一些实施例中，闪存器件具有栅叠件，其具有通过控制栅极介电质与浮栅隔开的控制栅极。擦除栅极设置在栅叠件的第一侧上。字线设置在栅叠件的与第一侧相对的第二侧上。字线具有从与栅叠件相对的外侧到距离栅叠件更近的内侧单调增加的高度。字线的形状使字线的接触阻抗优化，并且使得形成在字线上的上覆的覆盖间隔件被很好的界定，这可以提供更可靠的读取/写入操作和/或更好的性能。
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公开(公告)号：CN105118917B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510471097.9
申请日：2011-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00 , H01L21/027 , H01L27/24 , G11C11/56
Abstract: 公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230637A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201611046743.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7823 , H01L21/26513 , H01L21/31144 , H01L21/32055 , H01L21/32139 , H01L21/76897 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66515 , H01L29/66545 , H01L29/66681 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/66674 , H01L29/7801
Abstract: 本发明实施例提供一种用于高电压晶体管的方法及设备。本发明实施例涉及一种方法包含：沿着栅极结构的侧壁形成栅极间隔件；在所述栅极结构的相对侧上形成源极区及漏极区，其中所述源极区的侧壁与所述栅极间隔件的第一侧壁垂直地对准；在衬底上方沉积电介质层；在所述电介质层上方沉积导电层；图案化所述电介质层及所述导电层以形成场板，其中所述电介质层包括从第二漏极/源极区延伸到所述栅极间隔件的第二侧壁的水平部分及沿着所述栅极间隔件的所述第二侧壁形成的垂直部分；通过对所述导电层、所述栅极结构、第一漏极/源极区及第二漏极/源极区应用自对准硅化物工艺而形成多个金属硅化物层；及在所述多个金属硅化物层上方形成接点插塞。
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公开(公告)号：CN107046096A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611139558.3
申请日：2016-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/12
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包含第N金属层，位于第N金属层上方并与其接触的平面底部阻挡层，位于平面底部阻挡层上方的数据存储层，位于数据存储层上方的电极，和位于电极上方的第(N+1)金属层。N是正整数。本发明实施例还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106298769A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610057680.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L27/11534 , H01L29/1037 , H01L29/42328 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L27/0207 , H01L21/82 , H01L27/04
Abstract: 本发明实施例涉及具有FinFET器件和嵌入式闪存存储器器件的集成芯片及其形成方法。在一些实施例中，集成芯片具有逻辑区和与逻辑区横向隔开的存储区。逻辑区具有从半导体衬底向外突出的多个第一半导体材料的鳍。栅电极布置在多个第一半导体材料的鳍上方。存储区具有从半导体衬底向外延伸的多个第二半导体材料的鳍。嵌入式闪存存储器单元布置在多个第二半导体材料的鳍上。由于产生的集成芯片结构包括FinFET器件以及嵌入式闪存存储器器件二者，因此它提供良好性能。本发明实施例涉及具有嵌入式EFS3以及FINFET器件的结构。
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公开(公告)号：CN106252505A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510800379.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底电极侧壁和顶电极侧壁向回凹进。本发明的实施例还涉及RRAM器件和方法。
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