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公开(公告)号：CN106159086B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510683772.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件和相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有设置在下部金属互连层上方的底部电极。集成电路器件还包括具有可变电阻的电阻转换层，该电阻转换层位于底部电极上，并且顶部电极位于电阻转换层上方。集成电路器件还包括自溅射间隔件，该自溅射间隔件具有：横向部分，围绕垂直位于电阻转换层与底部蚀刻停止层之间的位置处的底部电极；和垂直部分，邻接电阻转换层和顶部电极的侧壁。集成电路器件还具有顶部蚀刻停止层，该顶部蚀刻停止层位于底部蚀刻停止层上方，邻接自溅射间隔件的侧壁，并且覆盖顶部电极。
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公开(公告)号：CN104347631A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310471353.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L45/00 , H01L21/76
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W1并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极上并具有与第一宽度W1基本相同的宽度的电阻层；具有小于第一宽度W1的第二宽度W2并形成于电阻层上的覆盖层；形成于覆盖层上并具有与第二宽度W2基本相同的宽度的第二电极；在第一宽度W1与第二宽度W2之间形成于电阻层上并具有至少两个不同的介电层的第一组合间隔区；以及连接到第二电极的通孔。本发明还公开了使用组合间隔件的RPAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN104051615B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310234123.7
申请日：2013-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。该RRAM结构包括具有通孔部分和非平面部分的底部电极；共形地覆盖底部电极的非平面部分的电阻材料层；以及位于电阻材料层上的顶部电极。底部电极的通孔部分嵌入第一RRAM停止层中。底部电极的非平面部分具有顶点并且在通孔部分上方居中。本发明还提供了低形成电压的电阻式随机存取存储器(RRAM)。
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公开(公告)号：CN104377302A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410313597.5
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 一种制造件包括：具有上表面和侧面的第一电极、位于第一电极上方的电阻可变膜和位于电阻可变膜上方的第二电极。电阻可变膜沿着第一电极的上表面和侧面延伸。第二电极具有侧面。第一电极的侧面的一部分和第二电极的侧面的一部分将电阻可变膜的一部分夹在中间。本发明提供具有电阻可变膜的存储单元及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112951721B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201911270313.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 台积电(南京)有限公司 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本公开涉及用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺。提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成抗蚀剂结构。抗蚀剂结构包括抗反射涂层(ARC)层和ARC层上方的光致抗蚀剂层。该方法还包括对光致抗蚀剂层进行图案化以在其中形成沟槽。该方法还包括对经图案化的光致抗蚀剂层执行氢等离子体处理。氢等离子体处理被配置为在不蚀刻ARC层的情况下使沟槽的侧壁平滑。该方法还包括使用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来对ARC层进行图案化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826166B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510367048.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)电极。MIM电容器具有垂直地设置在高k介电层上方并且与CTM电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与CTM电极相同的材料的导电体。
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公开(公告)号：CN104347631B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310471353.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L45/00 , H01L21/76
Abstract: 一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W1并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极上并具有与第一宽度W1基本相同的宽度的电阻层；具有小于第一宽度W1的第二宽度W2并形成于电阻层上的覆盖层；形成于覆盖层上并具有与第二宽度W2基本相同的宽度的第二电极；在第一宽度W1与第二宽度W2之间形成于电阻层上并具有至少两个不同的介电层的第一组合间隔区；以及连接到第二电极的通孔。本发明还公开了使用组合间隔件的RPAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN104037187A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310228967.0
申请日：2013-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构，并且还提供了一种阻变随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。RRAM结构包括：底电极，具有通孔部分和顶部；阻变材料层，位于底电极上并且其宽度与底电极的顶部的宽度相同；覆盖层，位于底电极上方；第一间隔件，围绕覆盖层和顶电极；第二间隔件，围绕底电极的顶部和第一间隔件；以及顶电极。RRAM单元还包括将RRAM结构的顶电极连接至金属层的导电材料。
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公开(公告)号：CN107046096A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611139558.3
申请日：2016-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/12
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包含第N金属层，位于第N金属层上方并与其接触的平面底部阻挡层，位于平面底部阻挡层上方的数据存储层，位于数据存储层上方的电极，和位于电极上方的第(N+1)金属层。N是正整数。本发明实施例还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN104037187B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310228967.0
申请日：2013-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构，并且还提供了一种阻变随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。RRAM结构包括：底电极，具有通孔部分和顶部；阻变材料层，位于底电极上并且其宽度与底电极的顶部的宽度相同；覆盖层，位于底电极上方；第一间隔件，围绕覆盖层和顶电极；第二间隔件，围绕底电极的顶部和第一间隔件；以及顶电极。RRAM单元还包括将RRAM结构的顶电极连接至金属层的导电材料。
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