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公开(公告)号：CN115295438A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210049679.8
申请日：2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 曾李全
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定处理室的室壳体。在处理室内是被配置成对工件进行固持的工件固持器装置。声呐传感器布置在工件固持器装置之上。声呐传感器包括：发射器，被配置成生成朝工件固持器装置行进的声波。声呐传感器还包括：检测器，被配置成从工件固持器装置或位于声呐传感器与工件固持器装置之间的物体接收反射声波。此外，声呐传感器控制电路系统耦合到声呐传感器且被配置成基于由声呐传感器的检测器接收的反射声波的声呐强度值来判断在工件固持器装置上是否存在工件。
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公开(公告)号：CN109422235B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201711259218.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例系关于微机电系统封装体及其形成方法，其特征在于具有凸起边缘的平板围绕平板的外围以作为抗静摩擦装置。提供互补式金属氧化物半导体集成电路，其具有介电结构围绕多个导电内连线层，这些导电内连线层设置于互补式金属氧化物半导体基底上。将微机电系统集成电路接合至介电结构，使得微机电系统集成电路与介电结构的降低中央部形成空腔，并且微机电系统集成电路包含可移动块状物安排于空腔内。互补式金属氧化物半导体集成电路包含抗静摩擦板设置于可移动块状物下方。此抗静摩擦板由导电材料制成，并且具有凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。
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公开(公告)号：CN105977282B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201510495959.1
申请日：2015-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。本发明实施例涉及用于制造生物传感器的微阱的方法。
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公开(公告)号：CN109422235A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711259218.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例系关于微机电系统封装体及其形成方法，其特征在于具有凸起边缘的平板围绕平板的外围以作为抗静摩擦装置。提供互补式金属氧化物半导体集成电路，其具有介电结构围绕多个导电内连线层，这些导电内连线层设置于互补式金属氧化物半导体基底上。将微机电系统集成电路接合至介电结构，使得微机电系统集成电路与介电结构的降低中央部形成空腔，并且微机电系统集成电路包含可移动块状物安排于空腔内。互补式金属氧化物半导体集成电路包含抗静摩擦板设置于可移动块状物下方。此抗静摩擦板由导电材料制成，并且具有凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871796A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710620047.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 一些实施例涉及设置在硅衬底上的集成电路(IC)，其包括具有第一导电类型的阱区。介电层设置在硅衬底的上表面上方，并且在阱区的外边缘上方延伸，并且包括使得阱区的内部暴露的开口。SiGe或Ge的外延柱从阱区的内部向上延伸。外延柱包括具有第一导电类型的下部外延区和具有与第一导电类型相反的第二导电类型的上部外延区。介电侧壁结构围绕外延柱并且具有停留在介电层的上表面上的底面。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN117038630A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310847227.9
申请日：2023-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768
Abstract: 本公开的多种实施例涉及一种集成电路(IC)，其包括在半导体衬底之上的多个导电接触件。多个第一导电线设置在多个导电接触件上。多个导电通孔在第一导电线之上。蚀刻停止结构设置在第一导电线上。多个导电通孔延伸穿过蚀刻停止结构。蚀刻停止结构包括第一蚀刻停止层、第一绝缘体层和第二蚀刻停止层。第一绝缘体层设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层之间。本申请的实施例还涉及集成芯片及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110931352B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910482441.2
申请日：2019-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F9/00
Abstract: 本揭示内容涉及集成电路装置的制造制程。提供了一种自对准双图案化方法。在该方法中，在形成间隔物于心轴旁边之后并在剥离心轴之前，执行用于线切割的微影制程，以决定线末端的位置。使用由心轴材料和间隔物材料所制成的标记，来对准用于线切割的蚀刻光罩与心轴和间隔物层。相较于先前的方法(在心轴移除之后执行线切割制程)，在此公开的方法中，线末端遮罩由心轴材料和间隔物材料所制成，与仅由间隔物材料制成的标记相比更容易分辨。因此，本方法为线切割光微影和线末端遮罩的精确定位提供稳健的光学对准信号。
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公开(公告)号：CN114664688A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110466105.6
申请日：2021-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 曾李全
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积。所述方法还包括测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分。所述方法还包括基于第一辐射射束的所测量的反射部分判断工件载具的第一槽是否正容纳有工件。
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公开(公告)号：CN106816373B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201610830422.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。
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