公开(公告)号：CN109524286B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201710854745.8

申请日：2017-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  卢玟铵 ,  郭爵旗 ,  许哲彰 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

公开(公告)号：CN110858058A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201810973109.1

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  张汉龙 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器、一主激光发射器、以及一激光真空装置。标的发射器用以朝向激发腔内的一激发区域发射一标的。主激光发射器用以发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。激光真空装置用以发射一真空激光至至激发腔内，且以于激发腔内形成一真空通道。激光真空装置发射真空激光之后，标的发射器发射标的通过真空通道进入激发区域。本公开提供的光刻设备可增加主激光发射器击中标的精准度。

公开(公告)号：CN110824852A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810916154.3

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  易威廷 ,  陈政宏 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种激光系统，包括一种子激光装置，配置以发射一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的功率并发射输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质，包括一第一开口以及一第二开口、一入射透光元件，设置于第一开口、一出射透光元件，设置于第二开口、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。入射透光元件与输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。本公开还提供一种光刻设备。

公开(公告)号：CN110824851A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/52

Abstract: 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN109581819A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811094242.6

申请日：2018-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨基 ,  陈思妤 ,  简上杰 ,  谢劼 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例提供一种放射源设备。上述放射源设备包括一腔室、一标靶液滴产生器、一排气模块、一测量装置以及一控制器。标靶液滴产生器配置以提供多个标靶液滴至腔室。排气模块配置以根据一第一气体流量而将对应于上述标靶液滴的碎屑抽出上述腔室。测量装置配置以测量在腔室中碎屑的浓度。控制器耦接于测量装置与排气模块，并配置以根据碎屑的所测量的浓度而调整第一气体流量。

公开(公告)号：CN105372945B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201510196867.3

申请日：2015-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪继正 ,  林纬良 ,  严永松 ,  陈俊光 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  傅中其 ,  董明森 ,  梁辅杰 ,  陈立锐 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。

公开(公告)号：CN109148320A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201711295773.7

申请日：2017-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简上杰 ,  钟仁阳 ,  吴尚颖 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  陈家桢

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/20

CPC classification number: H05G2/005 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/008 ,  H01L21/67011 ,  G03F7/20

Abstract: 极紫外光(EUV)辐射源设备包含收集器、用于产生锡(Sn)液滴的目标液滴产生器、可旋转碎片收集装置、以及围住至少收集器和可旋转碎片收集装置的腔室。可旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，这些叶片的端部分别由第一端支撑件和第二端支撑件支撑。这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH4还原为Sn的催化剂层。

公开(公告)号：CN101075095B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710005300.9

申请日：2007-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅中其 ,  徐树彬 ,  张秀玉

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03B27/42 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

Abstract: 针对浸润光刻工艺中的微粒与污染问题，本发明提供一种浸润光刻系统以及浸润光刻方法，上述系统包括：影像镜头，具有第一前表面；基板底座，置于该影像镜头的前表面下方；浸润流体保持结构，具有一个流体入口与一个流体出口，且用以保留来自流体入口的流体，以至少部分地填充位于影像镜头的前表面与基板底座上的基板之间的空间，且使该流体由该流体出口流出；以及微粒监控模块，与该浸润流体保持结构整合。本发明能够现场监控浸润流体的微粒，因此可即时发现微粒问题并及时纠正，从而及时解决污染问题，将制造成本损失最小化。

公开(公告)号：CN100552877C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710100965.8

申请日：2007-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈立锐 ,  傅中其 ,  张庆裕 ,  梁辅杰 ,  许林弘 ,  陈俊光 ,  高蔡胜

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体保存模块内且邻近于上述空间处的一加热元件。本发明另外提供了一种浸润槽及一种蚀刻方法。