公开(公告)号：CN109524286B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201710854745.8

申请日：2017-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  卢玟铵 ,  郭爵旗 ,  许哲彰 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

公开(公告)号：CN109524286A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710854745.8

申请日：2017-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  卢玟铵 ,  郭爵旗 ,  许哲彰 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。