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公开(公告)号:CN109524286A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201710854745.8
申请日:2017-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中,将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时,将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。
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公开(公告)号:CN109799684A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201811365850.6
申请日:2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种倍缩掩模固持工具,包括外壳,外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸,且在一下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括定位于外壳中的倍缩掩模吸座,且倍缩掩模吸座配置以固定倍缩掩模。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总成。气体输送总成是定位于外壳内,且配置以供应气体至外壳内。
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公开(公告)号:CN109524286B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201710854745.8
申请日:2017-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中,将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时,将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。
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