公开(公告)号：CN105372945B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201510196867.3

申请日：2015-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪继正 ,  林纬良 ,  严永松 ,  陈俊光 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  傅中其 ,  董明森 ,  梁辅杰 ,  陈立锐 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。

公开(公告)号：CN105372945A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510196867.3

申请日：2015-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪继正 ,  林纬良 ,  严永松 ,  陈俊光 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  傅中其 ,  董明森 ,  梁辅杰 ,  陈立锐 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/705

Abstract: 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。