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公开(公告)号：CN1560905A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410014067.7
申请日：2004-02-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y2O3)，氧化镧(La2O3)，和镧系的其它氧化物如Pr2O3、CeO2、Gd2O3、Er2O3。
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公开(公告)号：CN1471137A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03131920.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 木发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1288981A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00112548.6
申请日：2000-09-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法,通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中,对湿膜热分解转变成无定型态的干膜,在后续的高温退火结晶过程中,引入直流低电场,来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看,效果非常明显,特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜,能诱导出极强的C轴取向。
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公开(公告)号：CN1106582A
公开(公告)日：1995-08-09
申请号：CN94101603.X
申请日：1994-02-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种声学超晶格材料制成的超高频声光器件，其特征是用直拉法制备的具有180度畴反转结构的铁电单晶体和用MOCVD，PLD方法制备的压电材料和非压电材料或多种压电系数不同的压电材料交替迭合的多层复合材料与声光互作用介质以铟冷压焊或超声焊等方法键合而成，在超晶格材料的两面均镀有或生长有导电电极。
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公开(公告)号：CN117320460A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311399279.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 南京大学
IPC: H10K10/46
Abstract: 一种双功能n‑型半导体插层并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层同时作为修饰层和电荷俘获层，器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜的厚度为1‑200nm，提供能移动的n‑型载流子(电子)，且具有相当载流子浓度；隧穿层为绝缘体，避免写入/擦除操作过程中空穴被电荷俘获介质中的深能级陷阱俘获，从而减少了在多次写入/擦除循环后器件转移特性曲线阈值电压的偏移，提高了器件的抗疲劳特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112366274B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011153410.1
申请日：2020-10-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用n‑型半导体插层提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源(漏)电极的有机场效应晶体管器件中，在绝缘层和聚合物介质薄膜之间设置一n‑型半导体薄膜插层；n‑型半导体插层厚度为1‑200nm；通过n‑型半导体插层中界面处的感生电子降低并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过调节n‑型半导体插层中n‑型载流子数量调节并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度至合理的范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的编程/擦除速度，良好的编程/擦除可靠性及数据保持能力。
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公开(公告)号：CN105206615A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510629080.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.001≤x≤0.999，m、n由元素A、B的化学价态确定，A、B是+1价、+2价、+3价、+4价、+5价或+6价的金属离子；如Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZrO2、La2O3、HfO2。利用具有不同配位数的高介电系数金属氧化物间形成的高缺陷态密度来提高电荷俘获介质的电荷存储密度，有利于电荷俘获型半导体存储器件的进一步小型化。
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公开(公告)号：CN100541854C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610088390.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电阻开关效应的非易失相变存储元件的结构设计和制备方法，将固体电解质RbAg4I5膜(3)夹在反应电极银电极(4)和非反应电极铂电极(1)之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个存储单元。该存储单元连同衬底(7)和绝缘层(2)共有5层。在衬底(7)上沉积一层非反应电极铂电极(1)，在非反应电极铂电极(1)上沉积一层绝缘层(2)，在其中部刻蚀一个微孔(5)，露出非反应电极铂电极(1)，绝缘层(2)上再沉积一层RbAg4I5薄膜(3)，其上再沉积一层反应电极银电极(4)，在非反应电极铂电极(1)和反应电极银电极(4)上分别接出引线(6)。该存储元件具有体积小、结构简单、非易失、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。
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公开(公告)号：CN1272277C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200410064900.9
申请日：2004-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/32 , C04B35/36 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1-xAxFe1-yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化-电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。
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公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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