一种非挥发阻变存储器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103337250A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310276651.9

    申请日:2013-07-03

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种非挥发阻变存储器,其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制,采用半导体材料作为电极,提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中,自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度,从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化,成功调制了结电阻,并获得了104以上的ON/OFF阻态比,比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。

    一种亚微米或微米非密堆金属空心球壳有序网络结构材料及其制法

    公开(公告)号:CN100391825C

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200510094918.8

    申请日:2005-10-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种非密堆金属空心球壳有序网络结构材料及其制法,所述非密堆金属空心球壳有序网络结构材料,其结构特征在于相邻的金属空心球壳由相同金属形成的空心管道相连。其制备方法主要采用改进的二次模板法:首先以非密堆的非金属微球有序网络结构作为一次模板;然后利用聚苯乙烯对一次模板的结构进行复制,形成的多孔聚苯乙烯二次模板;再将二次模板放入由金属盐和还原剂组成的混合溶液中,通过化学沉积在聚苯乙烯孔中形成连续的金属膜;最后除去聚苯乙烯模板,即获得亚微米/微米非密堆金属空心球壳有序网络结构材料。本发明具有结构新颖,占空比可调,周期可控,样品的单分散性好以及制备工艺简单等优点。

    高比表面的钽酸盐或铌酸盐光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN100358626C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200410041816.5

    申请日:2004-08-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法,先使用钽或铌的五氧化物为原料,得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液;用上述方法获得稳定的水溶性的钽或铌的前体再用以制备钽酸盐和铌酸盐光催化剂,即制备含碱金属和碱土金属的钽酸盐和铌酸盐,根据配方的组分将碳酸锶、碳酸钡、碳酸锂、或稀土硝酸盐加入水溶性的草酸钽或草酸铌的前体溶液,溶于螯合剂EDTA,再加入柠檬酸,让金属离子与柠檬酸的摩尔比在1.4~10之间,加入适量乙二醇作为络合剂,在60—80℃加热并搅拌,获得钽酸盐和铌酸盐光催化剂的前体溶液,聚酯化、灼烧2—4小时后并在600—900℃热处理,得到钽酸盐和铌酸盐光催化剂。

    SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备方法

    公开(公告)号:CN1316700C

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN03152810.4

    申请日:2003-08-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件,SiO2衬底上生长Nd:YVO4光波导薄膜,薄膜沿晶轴取向,用807—810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd:YVO4光波导薄膜,以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er:YVO4、Tm:YVO4等),通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜;生长的温度范围:700—800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd:YVO4薄膜的生长,所使用的PLD生长工艺比较成熟,方法简单易行,具有很强的可操作性。

    稳定的水溶性的铌或钽前体的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN1315733C

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200410014962.9

    申请日:2004-05-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 稳定的水溶性的铌和钽前体的制备方法,便用钽或铌的五氧化物为原料,将五氧化铌或五氧化钽与氢氧化钾或氢氧化钠按摩尔比混合研磨均匀,在400-550℃灼烧反应2-4小时,获得铌酸钾(钠)或钽酸钾(钠)的熔体;将熔体溶于去离子水,过滤后的清液,使溶液呈强酸性(pH<2),使溶液中的铌或钽以铌酸或钽酸形式完全沉淀出来;将铌酸沉淀加入适量的柠檬酸的水溶液或钽酸沉淀加入适量的草酸的水溶液,得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液。本发明用于制备SBN等铁电体前体溶液,利用廉价、稳定的原料,通过一种简便可行的合成路径,获得极其稳定的水溶性的钽或铌的前体。

    连续渐变周期全介质宽带全向反射器的设置方法及装置

    公开(公告)号:CN1215354C

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:CN03158308.3

    申请日:2003-09-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 连续渐变周期全介质宽带全向反射器的设置方法及装置,利用透明材料衬底,选择两种折射率相异的介电光学材料周期覆盖,每周期介电光学材料层的构成是一层高折射率和一层低折射率介电材料,选取周期渐变量为0.005-0.03,周期数为10-200。该结构的特点是可以选用常规的介质材料组合(如TiO2和SiO2等),研制出应用于可见光和红外频段的宽带的全向反射器件。这类器件在任意入射角下都保证光波的p分量和s分量,在较大的频率范围内部具有近100%的反射率。本发明中所用材料选择范围广,工艺成熟稳定,在光学器件与光通讯领域都具有十分诱人的应用前景。

    高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN1597097A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410041816.5

    申请日:2004-08-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 高比表面的钽酸盐和铌酸盐光催化剂的制备方法,先使用钽或铌的五氧化物为原料,得到水溶性的铌前体或钽的草酸盐水溶液;用上述方法获得稳定的水溶性的钽或铌的前体再用以制备钽酸盐和铌酸盐光催化剂,即制备含碱金属和碱土金属的钽酸盐和铌酸盐,根据配方的组分将碳酸锶、碳酸钡、碳酸锂、或稀土硝酸盐加入水溶性的草酸钽或草酸铌的前体溶液,溶于螯合剂EDTA,再加入柠檬酸,让金属离子与柠檬酸的摩尔比在1∶4~10之间,加入适量乙二醇作为络合剂,在60-80℃加热并搅拌,获得钽酸盐和铌酸盐光催化剂的前体溶液,聚酯化、灼烧2-4后并在600-900℃热处理,得到钽酸盐和铌酸盐光催化剂。

    SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备

    公开(公告)号:CN1487636A

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN03152810.4

    申请日:2003-08-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件,SiO2衬底上生长Nd:YVO4光波导薄膜,薄膜沿晶轴取向,用807-810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd:YVO4光波导薄膜,以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er:YVO4、Tm:YVO4等),通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜;生长的温度范围:700-800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd:YVO4薄膜的生长,所使用的PLD生长工艺比较成熟,方法简单易行,具有很强的可操作性。

    由空心金属球构成的二维、三维有序纳米结构金属材料及制备方法

    公开(公告)号:CN1487108A

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN03131773.1

    申请日:2003-07-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 有序纳米结构金属材料制备方法,首先采用毛细吸引自组装方法,制备相应的胶体晶体为模板。通过在两个平整片之间放置间隔物,形成一个与间隔物厚度相同的微通道,然后将微通道的一端浸入到微球的胶乳液中;乳胶液在毛细吸引力驱动下被吸入微通道,微球自组织在微通道内部形成有序排列。将微通道的底端浸入预先配置好的亚锡离子敏化溶液中进行敏化处理,即微球的表面吸附一层亚锡离子被敏化。本发明的特点是采用表面种子生长方法,本发明采用的由聚苯乙烯微球构成的胶体晶体为模板,当模板处于化学渡液中时,球与球之间因静电排斥而在它们之间存在一定的间隙,这样的间隔允许在每个介质球的外表面形成金属壳。

    准周期结构的介电体超晶格材料及制备方法

    公开(公告)号:CN1144331C

    公开(公告)日:2004-03-31

    申请号:CN00119007.5

    申请日:2000-10-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 准周期介电体超晶格材料及设置方法,用铁电单晶材料制成准周期电畴,其参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件:该准周期结构是由A、B两个基元按准周期序列排列构成,该序列可以用投影的方法得到,即在一个二维正方点阵中做一条斜率为tanθ的直线,投影区域宽度为sinθ+cosθ,区域内格点向该直线的投影点构成了投影角为θ的二组元准周期序列。本发明将准周期结构材料来实现耦合参量过程的多重准位相匹配。

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