公开(公告)号：CN1316700C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03152810.4

申请日：2003-08-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 李锟 ,  祝世宁 ,  王飞燕 ,  朱永元 ,  闵乃本

IPC: H01S5/20 ,  H01L21/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24

Abstract: SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件，SiO2衬底上生长Nd:YVO4光波导薄膜，薄膜沿晶轴取向，用807—810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd:YVO4光波导薄膜，以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er:YVO4、Tm:YVO4等)，通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜；生长的温度范围：700—800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd:YVO4薄膜的生长，所使用的PLD生长工艺比较成熟，方法简单易行，具有很强的可操作性。

公开(公告)号：CN1487636A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03152810.4

申请日：2003-08-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 李锟 ,  祝世宁 ,  王飞燕 ,  朱永元 ,  闵乃本

IPC: H01S5/20 ,  H01L21/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24

Abstract: SiO2衬底上Nd：YVO4光波导薄膜器件，SiO2衬底上生长Nd：YVO4光波导薄膜，薄膜沿晶轴取向，用807－810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的Nd：YVO4光波导薄膜，以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括Er：YVO4、Tm：YVO4等)，通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制备的光波导薄膜；生长的温度范围：700－800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd：YVO4薄膜的生长，所使用的PLD生长工艺比较成熟，方法简单易行，具有很强的可操作性。