公开(公告)号：CN118272927A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211714887.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  蒋鸿涛 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12 ,  C09K5/02

Abstract: 本发明公开了一种具有巨热导率开关的Mn1.94Cu0.06V2O7晶体及其生长方法。所述晶体在升温至310K时，发生马氏体相变，热导率开关达到16.8％，可用作热管理材料及制备相应的热输运器件，在电子器件热管理领域具有重大的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN116377570A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310161918.3

申请日：2023-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  周小丽 ,  吕洋洋 ,  周健 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种引入第二相SnSe2的N型SnSe晶体及其制备方法，所述SnSe晶体生长方法采用温度梯度循环的化学气相输运法，具体方法是使用I2等作为输运剂，将Sn粉，Se粉与输运剂混合，装入石英管中真空密封后放置于两温区的管式炉中，在生长温度程序中设置两种不同的温度梯度循环保温，自然降温至室温获得含有第二相SnSe2的N型SnSe晶体。本发明生长的SnSe晶体的尺寸能够达到毫米级，其导电载流子为电子，室温下载流子浓度可以达到1018cm‑3量级，迁移率为37cm2·V‑1·S‑1量级，在热电领域具有重要的研究和应用价值。

公开(公告)号：CN113668057B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110930085.3

申请日：2021-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  吕洋洋 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN113149093A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110264683.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  卢浩敏 ,  姚淑华 ,  陈延彬 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C01G55/00

Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于六方晶系，空间群为P63/mmc(No.194)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。

公开(公告)号：CN110387582B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201910223620.4

申请日：2019-03-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  徐璐 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  C30B11/02

Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V‑1s‑1(2K)和300cm2V‑1s‑1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN104788093A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510102769.9

申请日：2015-03-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 张善涛 ,  张骥 ,  卢明辉 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法，将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀，在1000°C烧结1.0小时，得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2, 0.3,0.4为ZnO相对于0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3的摩尔百分比)的0-3型复合无铅压电陶瓷，其中ZnO以互相独立的颗粒状存在于0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3的基底中。该复合压电陶瓷的热退极化温度随着ZnO的浓度增加而增加，直至热退极化消失。本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。

公开(公告)号：CN102633495B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210106212.9

申请日：2012-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 张善涛 ,  王金凤 ,  基维静 ,  顾正彬 ,  周健 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  陈延峰

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/11

Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法，其中m=10/9，n=8/9或m=7/6，n=5/6，该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结，烧结温度1160°C，烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷，这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度，制备这些陶瓷，所需的设备和制备过程简单，无需H2气氛，制备条件宽松。

公开(公告)号：CN119776992A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411759195.8

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  曹琳 ,  温启训 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/66 ,  C30B25/00 ,  C30B28/02 ,  H01F1/03 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种具有巨大反常霍尔角的磁性外尔半金属晶体及其实现策略，晶体的化学式为Co3Sn2(S1‑xSex)2，0

公开(公告)号：CN115627537A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211361927.9

申请日：2022-11-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  骆叶成 ,  曹琳 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明公开了一种新型层状磁性过渡金属硫族化合物材料FexMnyTaS2晶体及其制备方法，其中0

公开(公告)号：CN113668057A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110930085.3

申请日：2021-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  吕洋洋 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。