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公开(公告)号：CN116377570A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310161918.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种引入第二相SnSe2的N型SnSe晶体及其制备方法，所述SnSe晶体生长方法采用温度梯度循环的化学气相输运法，具体方法是使用I2等作为输运剂，将Sn粉，Se粉与输运剂混合，装入石英管中真空密封后放置于两温区的管式炉中，在生长温度程序中设置两种不同的温度梯度循环保温，自然降温至室温获得含有第二相SnSe2的N型SnSe晶体。本发明生长的SnSe晶体的尺寸能够达到毫米级，其导电载流子为电子，室温下载流子浓度可以达到1018cm‑3量级，迁移率为37cm2·V‑1·S‑1量级，在热电领域具有重要的研究和应用价值。
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公开(公告)号：CN113149093A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110264683.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于六方晶系，空间群为P63/mmc(No.194)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN110387582B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V‑1s‑1(2K)和300cm2V‑1s‑1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110158048B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910356258.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在二维层状材料上生长超薄高质量氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括如下步骤：(1)采用范德瓦尔斯外延生长技术在二维层状材料上生长单层有机染料分子薄膜；(2)利用原子层沉积技术，以单层有机染料分子薄膜作为种子层，在二维层状材料上生长出超薄均匀的氧化物薄膜。本发明通过范德瓦尔斯外延在二维层状材料表面生长单层的有机染料分子薄膜做种子层，可以做到对二维层状材料近乎无损伤，而且在该种子层上可沉积得到超薄且均匀致密的高质量氧化物薄膜；同时，该生长方法成本低廉，加工实现简单；利用本发明方法制备的氧化物薄膜可以在很薄的情况下，仍保持优异的均匀性和耐压性，可适用于多种形式下的电子器件应用。
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公开(公告)号：CN102633495B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210106212.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法，其中m=10/9，n=8/9或m=7/6，n=5/6，该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结，烧结温度1160°C，烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷，这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度，制备这些陶瓷，所需的设备和制备过程简单，无需H2气氛，制备条件宽松。
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公开(公告)号：CN115795266A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211526031.1
申请日：2022-12-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于第一性原理和量子振荡测试的分析系统与方法，所述分析系统包括：数据输入模块，预处理模块，运算模块和输出模块，其中包含极值轨道可视化单元，用于可视化极值轨道在费米面中位置；极值曲线可视化单元，用于输出对应极值轨道在计算过程中的频率变化图；费米面选区计算单元，针对复杂费米面有效提高计算效率。本发明基于marching cubes、SKEAF中的slice‑to‑slice orbit matching、hdbscan算法能够快速准确地筛选与确定相关材料的量子振荡频率和有效质量信息，进而确定材料的费米面特征，对研究量子材料的电子结构和物理性质具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113421826A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110675975.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法，包括以下步骤：利用表面处理技术，在待刻蚀材料表层制造晶格缺陷；在待刻蚀材料表层上沉积热扩散牺牲材料；将待刻蚀材料在一定温度下热退火，使扩散牺牲材料扩散进入待刻蚀材料表层，形成合金层；利用选择性化学反应去除扩散牺牲材料及其合金层，完成局部刻蚀；待刻蚀二维层状材料包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、石墨烯、黑磷中的一种或组合；扩散牺牲材料包括低原子半径金属、低原子半径非金属材料、小分子有机物中的一种或组合。本发明中牺牲层没有扩散进入待刻蚀材料的内部保留层，因而刻蚀工艺不损害材料保留层晶格，保持了材料的本征电学性能，是一种无损刻蚀技术。
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公开(公告)号：CN110408989A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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