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公开(公告)号：CN111321470B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201911286027.0
申请日：2019-12-13
Applicant: AXT公司 , 北京通美晶体技术股份有限公司
Abstract: 用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片，该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm‑2、并且在940nm处的光吸收为6cm‑1以下。晶片的腐蚀坑密度可小于200cm‑2。晶片的直径可为6英寸或更大。晶片的硼浓度可介于1×1019cm‑3和2×1019cm‑3之间。晶片的厚度可为300μm以上。在晶片的第一表面上可形成有光电器件，该晶片可被切割成数个裸片，并且来自于其中一个裸片的一面上的光电器件的光信号可从裸片的与该面相对的一面传输出去。
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公开(公告)号：CN118756316A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410813627.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法。包括：坩埚支架，包括本体、设置在本体内的容纳空间和盖体，本体包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分由氧化铝陶瓷制成，第二部分由氧化铝纤维制成，第三部分由氧化铝空心球制成，盖体由氧化铝纤维制成，盖体能够与本体结合在一起以封闭容纳空间；坩埚，嵌于坩埚支架内部；氧化铝罩，罩于坩埚支架外部；加热器，为金属材料，设于氧化铝罩内部；中高频感应线圈，为感应线圈，围绕在氧化铝罩四周，用于加热加热器。通过温度梯度法生长氧化镓单晶时无需引入复杂的升降系统，可以降低单晶生长设备的系统复杂度，更适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117822122A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410246422.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种层状Ge1‑xSb4+xTe7单晶体及其制备方法，涉及晶体材料制备技术领域。所述制备方法采用特定配比的锗粉、锑粉、碲粉为原料，通过高温烧制并在晶体形核和初晶生长阶段采用较慢的降温速率，以使材料形核成Ge1‑xSb4+xTe7籽晶并使晶粒逐渐长大，得到大尺寸、高质量的Ge1‑xSb4+xTe7单晶体，进而为三元Ge1‑xSb4+xTe7硫族化合物的研究和开发提供材料。
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公开(公告)号：CN107227487B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710592309.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 天津环际达科技有限公司
Inventor： 张新波
Abstract: 本发明提供了一种真空炉内复合冷却提速成晶设备，包括支撑架、水冷套和氩气管，水冷套呈锥形筒状，水冷套内设有循环水路，氩气管内置于设有进水管的支撑架内，并贯穿于水冷套内，氩气管在水冷套内缠绕若干圈，水冷套内壁上在紧贴氩气管的位置开有若干排气孔。本发明能提高晶体品质；能促进成晶速度；设计的冷气孔呈一定角度，极好的避免了气流互相干扰的情况，并且同原有的进气口形成高低呼应对晶棒从上到下的一个整体腔体保护。
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公开(公告)号：CN113737285B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202110581606.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用，其化学式为：Co3‑aXaSn2‑bYbS2‑cZc，其中，X选自Cu、Ni、Fe、Mn、Cr、V和Ti中的一种或多种，Y选自Al、Ga、In、Si、Ge、Pb和Sb中的一种或多种，Z选自Se、Te和P中的一种或多种，0≤a≤2，0≤b≤2，0≤c≤2，并且0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115726044A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211424531.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
Abstract: 本发明提供了一种p型碲化铟热电材料及其制备方法和热电发电器件。所述p型碲化铟热电材料的化学式为InTe1‑x或PbyIn1‑yTe1‑z，其中，‑0.05
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公开(公告)号：CN115261986A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210425452.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种激光材料，具体涉及一种钬镨共掺氧化钪中红外波段激光晶体及其制备方法和应用，该晶体的化学式为(HoxPrySc1‑x‑y)2O3，其中x为0.001‑0.05，y为0.0001‑0.01；晶体为立方晶系。与现有技术相比，本发明提供了一种基质声子能量较低、热导率高、输出功率高的一种钬镨共掺氧化钪中红外波段激光倍半氧化物晶体，其具有低声子能量，高熔点，高热导率；采用温度梯度法生长钬镨共掺氧化钪晶体，生长在高纯氩气气氛中进行，制得的晶体材料能实现高效中红外波段激光输出，更适合应用于激光医疗，环境监测和作为光参量振荡(OPO)泵浦源实现3‑15微米的中红外激光的输出等领域。
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公开(公告)号：CN113846379B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010594736.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 天津理工大学
IPC: C30B29/14 , C30B9/08 , C30B7/10 , C30B11/02 , C30B11/14 , C30B15/34 , C01B25/45 , C30B13/00 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种化合物磷酸铋镉及磷酸铋镉闪烁晶体和其制备方法及用途，该化合物和晶体化学式均为Bi35‑xCdxP10O(155‑x)/2，其中x＝0‑35，晶体属单斜晶系，空间群C2，晶胞参数为Z＝2，分子量为5204.09‑8864g/mol，其晶体密度为4.476‑8.529g/cm3。采用固相反应法合成化合物磷酸铋镉，采用高温熔盐法或提拉法或顶部籽晶法或坩埚下降法或水热法或温度梯度法或浮区法或导模法生长磷酸铋镉闪烁晶体，该磷酸铋镉晶体作为闪烁晶体应用。
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公开(公告)号：CN110373717B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910630634.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法，制备高性能REBCO高温超导块材，在块体的上层采用常规组分，下层部分采用富钡组分，顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满，然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满，获得大c畴的LREBCO块材，提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。
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公开(公告)号：CN110042461B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910358621.X
申请日：2019-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法，本发明涉及磷化锗锌晶体的生长方法。本发明是要解决现有的采用垂直布里奇曼法生长的磷化锗锌晶体易开裂，晶体内部出现裂纹、挛晶缺陷的技术问题。本方法：一、将籽晶和ZnGeP2多晶料放入PBN坩埚中，装入石英安瓿中真空封装；二、将石英安瓿放入晶体生长炉中，升温；三、加热使ZnGeP2多晶料和籽晶部分融化；三、籽晶再生长；四、晶体生长；五、降温，得到磷化锗锌晶体。制备过程中通过调节惰性气体的流量及温度对晶体的生长速率及晶体内部热量的散失速率进行调节。该磷化锗锌晶体内部无裂纹、挛晶缺陷，晶体元件的2μm吸收系数降低至0.02cm‑1，可用于大能量激光输出器件中。
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