回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法

    公开(公告)号:CN115787088A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211513636.7

    申请日:2022-11-29

    Inventor: 姚忻 朱彦涵

    Abstract: 本发明公开了一种回收再利用REBCO块材中间层晶体生长超导块材的方法,涉及超导材料再生长回收方法技术领域。本发明通过配制RE123和RE211的原始粉末,烧结后按比例与CeO2配料,压制后,加入从已生长的带中间层的REBCO块材上剥离下的中间层晶体,将其侧面和下表面用细砂纸打磨抛光平整后,放置在REBCO块材前驱体的上表面的中心处;在生长炉中进行顶部籽晶熔融织构法生长,制得REBCO高温超导块材。本发明的方法实现了“卡脖子”产品薄膜籽晶的部分替代,且其诱导生长的样品展现出与薄膜籽晶诱导下相近的性能。

    垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法

    公开(公告)号:CN115261969B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202210670283.5

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明提供一种垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法,包括以下步骤:将RE2O3,BaCO3和CuO粉末烧结配制成RE123粉末和RE211粉末,并混合得到制备REBCO超导块材的前驱粉末;将所述前驱粉末压制成圆柱体形状的前驱体;获取至少两个条状籽晶材料,其中所述条状籽晶材料的诱导侧面具有(100)晶面,所述至少两个条状籽晶材料两两相互垂直布置并在连接处粘结固定以得到垂直组合条状籽晶;将所述垂直组合条状籽晶放置在所述前驱体的上表面;将所述前驱体连同所述垂直组合条状籽晶置于生长炉中进行诱导顶部籽晶熔融织构生长,以实现(110)取向主导的REBCO超导块材生长。

    利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

    公开(公告)号:CN113430646B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110711199.9

    申请日:2021-06-25

    Inventor: 姚忻 朱彦涵

    Abstract: 本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法,包括以下步骤:配制RE123和RE211纯相粉末,按照RE123+30mol%RE211+1wt%CeO2的组分配料,充分碾磨混合均匀,得到前驱粉料;根据模具直径不同,将所述粉料称取合适质量,放入模具,压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2~3个和前驱体1个;将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置;所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构;其中,所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心,所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方,所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列;将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长,以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。

    一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

    公开(公告)号:CN110373717B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201910630634.8

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种利用组分分层控制,生长REBCO(RE=Sm,Nd,La)高温超导块材的方法,包括如下工序:a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末;b)制备分层组分的前驱体;c)将籽晶放置在前驱体的上表面;d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法,制备高性能REBCO高温超导块材,在块体的上层采用常规组分,下层部分采用富钡组分,顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满,然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满,获得大c畴的LREBCO块材,提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。

    用于REBCO超导体块材再生长的方法

    公开(公告)号:CN112048766A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010962064.5

    申请日:2020-09-14

    Abstract: 本发明提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法,包括以下步骤:步骤一,将空的管式炉升温到极高温度并保温;步骤二,将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理;步骤三,对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理;步骤四,将顶面磨平处理后的上述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长,实现低性能REBCO超导体块材的再生长。本发明强调了先对炉体升温后放入块材的热处理工艺步骤,将低性能的REBCO块材预先经过快速升温熔融的处理。该高温不受籽晶热稳定性的限制,可以促进低性能REBCO块材中组分的瞬间分解以及形核,以达到高温相Y2O3颗粒细小化的作用,有利于再生长后REBCO块材性能的提高,操作简单,经济高效。

    垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法

    公开(公告)号:CN115261969A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210670283.5

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明提供一种垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法,包括以下步骤:将RE2O3,BaCO3和CuO粉末烧结配制成RE123粉末和RE211粉末,并混合得到制备REBCO超导块材的前驱粉末;将所述前驱粉末压制成圆柱体形状的前驱体;获取至少两个条状籽晶材料,其中所述条状籽晶材料的诱导侧面具有(100)晶面,所述至少两个条状籽晶材料两两相互垂直布置并在连接处粘结固定以得到垂直组合条状籽晶;将所述垂直组合条状籽晶放置在所述前驱体的上表面;将所述前驱体连同所述垂直组合条状籽晶置于生长炉中进行诱导顶部籽晶熔融织构生长,以实现(110)取向主导的REBCO超导块材生长。

    用于REBCO超导体块材再生长的方法

    公开(公告)号:CN112048766B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010962064.5

    申请日:2020-09-14

    Abstract: 本发明提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法,包括以下步骤:步骤一,将空的管式炉升温到极高温度并保温;步骤二,将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理;步骤三,对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理;步骤四,将顶面磨平处理后的上述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长,实现低性能REBCO超导体块材的再生长。本发明强调了先对炉体升温后放入块材的热处理工艺步骤,将低性能的REBCO块材预先经过快速升温熔融的处理。该高温不受籽晶热稳定性的限制,可以促进低性能REBCO块材中组分的瞬间分解以及形核,以达到高温相Y2O3颗粒细小化的作用,有利于再生长后REBCO块材性能的提高,操作简单,经济高效。

    利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

    公开(公告)号:CN113430646A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110711199.9

    申请日:2021-06-25

    Inventor: 姚忻 朱彦涵

    Abstract: 本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法,包括以下步骤:配制RE123和RE211纯相粉末,按照RE123+30mol%RE211+1wt%CeO2的组分配料,充分碾磨混合均匀,得到前驱粉料;根据模具直径不同,将所述粉料称取合适质量,放入模具,压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2~3个和前驱体1个;将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置;所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构;其中,所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心,所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方,所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列;将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长,以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。

    一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

    公开(公告)号:CN110373717A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910630634.8

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种利用组分分层控制,生长REBCO(RE=Sm,Nd,La)高温超导块材的方法,包括如下工序:a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末;b)制备分层组分的前驱体;c)将籽晶放置在前驱体的上表面;d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法,制备高性能REBCO高温超导块材,在块体的上层采用常规组分,下层部分采用富钡组分,顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满,然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满,获得大c畴的LREBCO块材,提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。

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