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公开(公告)号：CN119372780A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411445438.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法，包括：坩埚加热单元，置于所述坩埚四周；升降单元，用于支撑所述坩埚；风冷单元，位于所述坩埚下方，用于调节所述坩埚下部的温度；其中，所述坩埚在所述升降单元的作用下能够进入或移出所述加热单元内，且所述坩埚的温度梯度能够通过调节所述风冷单元风的流量和所述加热单元的功率而调节。本申请的装置及温降法生长晶体，无需依赖导模法所需的水冷系统，从而减少了对复杂设备和高温环境的依赖。这不仅降低了能源消耗，还减少了设备维护的费用。
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公开(公告)号：CN118308779B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410741617.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓单晶及其生长装置及生长方法。生长装置包括：坩埚，用于生长氧化镓单晶，具有第一开口；坩埚的侧壁长度小于坩埚的底壁长度；坩埚支架，用于容纳和支撑坩埚，具有第二开口；坩埚支架的侧壁厚度小于坩埚支架的底壁厚度；保温盖，盖设于第二开口上，具有第三开口，第三开口远离坩埚支架的一侧设有透光的盖体；当坩埚容纳于坩埚支架内，且保温盖盖于第二开口上时，第三开口位于第一开口的上方；加热器，位于坩埚支架的外部，用于加热坩埚；以及红外测温仪，用于通过第三开口和盖体测量坩埚内部的温度，从而监控氧化镓单晶的生长过程。本申请通过热场结构的设计在熔体表面诱导了被动式冷心，能够获得高品质氧化镓单晶。
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公开(公告)号：CN118756316A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410813627.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法。包括：坩埚支架，包括本体、设置在本体内的容纳空间和盖体，本体包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分由氧化铝陶瓷制成，第二部分由氧化铝纤维制成，第三部分由氧化铝空心球制成，盖体由氧化铝纤维制成，盖体能够与本体结合在一起以封闭容纳空间；坩埚，嵌于坩埚支架内部；氧化铝罩，罩于坩埚支架外部；加热器，为金属材料，设于氧化铝罩内部；中高频感应线圈，为感应线圈，围绕在氧化铝罩四周，用于加热加热器。通过温度梯度法生长氧化镓单晶时无需引入复杂的升降系统，可以降低单晶生长设备的系统复杂度，更适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118308779A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410741617.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓单晶及其生长装置及生长方法。生长装置包括：坩埚，用于生长氧化镓单晶，具有第一开口；坩埚的侧壁长度小于坩埚的底壁长度；坩埚支架，用于容纳和支撑坩埚，具有第二开口；坩埚支架的侧壁厚度小于坩埚支架的底壁厚度；保温盖，盖设于第二开口上，具有第三开口，第三开口远离坩埚支架的一侧设有透光的盖体；当坩埚容纳于坩埚支架内，且保温盖盖于第二开口上时，第三开口位于第一开口的上方；加热器，位于坩埚支架的外部，用于加热坩埚；以及红外测温仪，用于通过第三开口和盖体测量坩埚内部的温度，从而监控氧化镓单晶的生长过程。本申请通过热场结构的设计在熔体表面诱导了被动式冷心，能够获得高品质氧化镓单晶。
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