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公开(公告)号：CN116949574A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310821071.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种氧化镓晶体的生长装置及生长方法，包括：生长炉、坩埚、加热器和驱动装置；其中，所述坩埚为氧化物坩埚。本申请将一定配比的镓和氧化镓一起置入坩埚中，晶体生长过程中，一部分金属镓被氧化成氧化镓，一部分镓熔体处于坩埚底部籽晶的周围，抑制籽晶槽位置的自发结晶，同时在晶体生长结束后使籽晶部位易于脱离坩埚。
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公开(公告)号：CN116874285B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310761208.4
申请日：2023-06-26
Applicant: 北京镓创科技有限公司
IPC: C04B35/043 , C04B35/622 , C30B29/16
Abstract: 本发明提供了一种用于生长氧化镓晶体的坩埚及其制备方法。该坩埚由包括氧化铝、锆砂和镁砂的原料制成；其中，氧化铝、锆砂、镁砂的质量比为(1～3):(2～4):(3～5)，坩埚的耐火度≥1900℃。本发明采用无铱技术路线，不仅可以避免坩埚高温氧化及与熔体的化学反应，而且由于利用氧化物坩埚代替了铱金坩埚，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
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公开(公告)号：CN118756316A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410813627.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法。包括：坩埚支架，包括本体、设置在本体内的容纳空间和盖体，本体包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分由氧化铝陶瓷制成，第二部分由氧化铝纤维制成，第三部分由氧化铝空心球制成，盖体由氧化铝纤维制成，盖体能够与本体结合在一起以封闭容纳空间；坩埚，嵌于坩埚支架内部；氧化铝罩，罩于坩埚支架外部；加热器，为金属材料，设于氧化铝罩内部；中高频感应线圈，为感应线圈，围绕在氧化铝罩四周，用于加热加热器。通过温度梯度法生长氧化镓单晶时无需引入复杂的升降系统，可以降低单晶生长设备的系统复杂度，更适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118308779A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410741617.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓单晶及其生长装置及生长方法。生长装置包括：坩埚，用于生长氧化镓单晶，具有第一开口；坩埚的侧壁长度小于坩埚的底壁长度；坩埚支架，用于容纳和支撑坩埚，具有第二开口；坩埚支架的侧壁厚度小于坩埚支架的底壁厚度；保温盖，盖设于第二开口上，具有第三开口，第三开口远离坩埚支架的一侧设有透光的盖体；当坩埚容纳于坩埚支架内，且保温盖盖于第二开口上时，第三开口位于第一开口的上方；加热器，位于坩埚支架的外部，用于加热坩埚；以及红外测温仪，用于通过第三开口和盖体测量坩埚内部的温度，从而监控氧化镓单晶的生长过程。本申请通过热场结构的设计在熔体表面诱导了被动式冷心，能够获得高品质氧化镓单晶。
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公开(公告)号：CN119372780A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411445438.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种降温法生长氧化镓晶体的装置及其方法，包括：坩埚加热单元，置于所述坩埚四周；升降单元，用于支撑所述坩埚；风冷单元，位于所述坩埚下方，用于调节所述坩埚下部的温度；其中，所述坩埚在所述升降单元的作用下能够进入或移出所述加热单元内，且所述坩埚的温度梯度能够通过调节所述风冷单元风的流量和所述加热单元的功率而调节。本申请的装置及温降法生长晶体，无需依赖导模法所需的水冷系统，从而减少了对复杂设备和高温环境的依赖。这不仅降低了能源消耗，还减少了设备维护的费用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117328132A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311231079.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种利用助熔剂生长氧化镓晶体的方法。该方法包括：将氧化镓粉体和助熔剂粉体放入坩埚中，并置于生长炉内；将生长炉抽真空后充入氧气和氮气，然后升温并保温以使得氧化镓粉体和助熔剂粉体完全熔化，获得熔体；确定熔体的饱和点温度；在高于饱和点温度的温度下将籽晶引入生长炉，并使籽晶部分熔化，以露出新的表面；将生长炉内的温度降至低于饱和点温度，并进行引晶；引晶完成后降温生长，获得氧化镓晶体粗体；以及除去氧化镓晶体粗体附着的助熔剂，获得氧化镓晶体。本发明利用助熔剂生长氧化镓晶体，可以实现氧化镓晶体的生长温度从约1800℃降低至约1500℃至约1720℃，从而可降低高温时氧化镓的分解，提高晶体的生长质量。且成本低，晶体质量好。
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公开(公告)号：CN116874285A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310761208.4
申请日：2023-06-26
Applicant: 北京镓创科技有限公司
IPC: C04B35/043 , C04B35/622 , C30B29/16
Abstract: 本发明提供了一种用于生长氧化镓晶体的坩埚及其制备方法。该坩埚由包括氧化铝、锆砂和镁砂的原料制成；其中，氧化铝、锆砂、镁砂的质量比为(1～3):(2～4):(3～5)，坩埚的耐火度≥1900℃。本发明采用无铱技术路线，不仅可以避免坩埚高温氧化及与熔体的化学反应，而且由于利用氧化物坩埚代替了铱金坩埚，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
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公开(公告)号：CN114059042A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111363304.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京镓创科技有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长。有益效果在于：本发明制备过程简单，所用衬底为商业产品，来源广，同时在制备过程中，采用商业化的制备方法Mist CVD生长大尺寸β‑Ga2O3薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好，为氧化镓基器件提供可靠的外延生长手段。
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公开(公告)号：CN118308779B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410741617.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓单晶及其生长装置及生长方法。生长装置包括：坩埚，用于生长氧化镓单晶，具有第一开口；坩埚的侧壁长度小于坩埚的底壁长度；坩埚支架，用于容纳和支撑坩埚，具有第二开口；坩埚支架的侧壁厚度小于坩埚支架的底壁厚度；保温盖，盖设于第二开口上，具有第三开口，第三开口远离坩埚支架的一侧设有透光的盖体；当坩埚容纳于坩埚支架内，且保温盖盖于第二开口上时，第三开口位于第一开口的上方；加热器，位于坩埚支架的外部，用于加热坩埚；以及红外测温仪，用于通过第三开口和盖体测量坩埚内部的温度，从而监控氧化镓单晶的生长过程。本申请通过热场结构的设计在熔体表面诱导了被动式冷心，能够获得高品质氧化镓单晶。
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公开(公告)号：CN118422313A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410446241.2
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种熔化氧化镓粉末材料的装置及方法，包括：坩埚；第一加热单元，用于加热所述坩埚；第二加热单元，用于加热所述坩埚，设置在所述第一加热单元下方，与所述第一加热单元之间通过隔热挡板分离；以及升降单元，用于放置所述坩埚，在所述升降单元的作用下，所述坩埚能够从所述第一加热单元中移动到所述第二加热单元中。解决氧化镓铱金感应加热成本高以及生长过程中引燃剂金属镓在大尺寸晶体中氧化不均等问题。
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