-
公开(公告)号：CN118756316A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410813627.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京镓创科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法。包括：坩埚支架，包括本体、设置在本体内的容纳空间和盖体，本体包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分由氧化铝陶瓷制成，第二部分由氧化铝纤维制成，第三部分由氧化铝空心球制成，盖体由氧化铝纤维制成，盖体能够与本体结合在一起以封闭容纳空间；坩埚，嵌于坩埚支架内部；氧化铝罩，罩于坩埚支架外部；加热器，为金属材料，设于氧化铝罩内部；中高频感应线圈，为感应线圈，围绕在氧化铝罩四周，用于加热加热器。通过温度梯度法生长氧化镓单晶时无需引入复杂的升降系统，可以降低单晶生长设备的系统复杂度，更适合工业化生产。
Search Results
1
records
(took 0.03 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
