公开(公告)号：CN111321470B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201911286027.0

申请日：2019-12-13

Applicant: AXT公司 ,  北京通美晶体技术股份有限公司

Inventor： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC: C30B29/42 ,  C30B11/02

Abstract: 用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片，该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm‑2、并且在940nm处的光吸收为6cm‑1以下。晶片的腐蚀坑密度可小于200cm‑2。晶片的直径可为6英寸或更大。晶片的硼浓度可介于1×1019cm‑3和2×1019cm‑3之间。晶片的厚度可为300μm以上。在晶片的第一表面上可形成有光电器件，该晶片可被切割成数个裸片，并且来自于其中一个裸片的一面上的光电器件的光信号可从裸片的与该面相对的一面传输出去。

公开(公告)号：CN111321456B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN201911284634.3

申请日：2019-12-13

Applicant: AXT公司 ,  北京通美晶体技术股份有限公司

Inventor： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC: H01L21/08 ,  C30B11/00

Abstract: 一种用于低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片的方法和体系可包括一种半绝缘砷化镓单晶晶片，所述晶片的直径为6英寸或更大，不含意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm‑2，电阻率为1x107Ω‑cm或更大。晶片在940nm波长下的光吸收可为小于5cm‑1、小于4cm‑1或小于3cm‑1。晶片可具有3000cm2/V‑sec或更高的载流子迁移率。晶片的厚度可为500μm或更大。可在晶片的第一表面上形成电子器件。晶片可具有1.1x107cm‑3或更小的载流子浓度。

公开(公告)号：CN111321456A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911284634.3

申请日：2019-12-13

Applicant: AXT公司

Inventor： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  H01L21/18

Abstract: 一种用于低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片的方法和体系可包括一种半绝缘砷化镓单晶晶片，所述晶片的直径为6英寸或更大，不含意图用于降低位错密度的掺杂剂，腐蚀坑密度小于1000cm-2，电阻率为1x107Ω-cm或更大。晶片在940nm波长下的光吸收可为小于5cm-1、小于4cm-1或小于3cm-1。晶片可具有3000cm2/V-sec或更高的载流子迁移率。晶片的厚度可为500μm或更大。可在晶片的第一表面上形成电子器件。晶片可具有1.1x107cm-3或更小的载流子浓度。

公开(公告)号：CN111321470A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911286027.0

申请日：2019-12-13

Applicant: AXT公司

Inventor： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  刘卫国 ,  杨盛世

IPC: C30B29/42 ,  C30B11/02

Abstract: 用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片，该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm-2、并且在940nm处的光吸收为6cm-1以下。晶片的腐蚀坑密度可小于200cm-2。晶片的直径可为6英寸或更大。晶片的硼浓度可介于1×1019cm-3和2×1019cm-3之间。晶片的厚度可为300μm以上。在晶片的第一表面上可形成有光电器件，该晶片可被切割成数个裸片，并且来自于其中一个裸片的一面上的光电器件的光信号可从裸片的与该面相对的一面传输出去。