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公开(公告)号：CN119800486A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510043237.6
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓晶体生长的助熔剂及生长方法。本发明的氧化镓晶体生长的助熔剂，包括五氧化二钒或由五氧化二钒与氧化硼组成的混合物。本发明的助熔剂不含氧化铅、氟化铅等有毒有害组分，能够在适中的温度生长氧化镓晶体，有效抑制氧化镓在高温生长时的挥发和分解反应，改善晶体在生长过程中的成份偏析；具有较小的粘度，有利于晶体生长过程的溶质运输，可以有效减少甚至消除氧化镓晶体中的包裹体缺陷；具有较宽的析晶温度区间，可以提高晶体生长的稳定性，有利于获得大尺寸、高质量的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN116748100A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310264553.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开一种二硫化铼表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括以下步骤：将液溴、铼和硫分别放入石英管中，其中铼和硫的物质的量之比为1：2，将石英管放置于三温区管式炉中，将石英管抽真空后将管子密封，将生长区的温度设置为1000℃保温至少5天后自然冷却至室温；将块状单晶ReS2研磨至粉末状，配置8~12mol/L的硝酸溶液，按照每10 mg单晶ReS2对应6~8mL硝酸溶液的配比形成混合液；对混合液利用超声波清洗器进行超声，并控制其温度不超过42℃，超声处理ReS2时间为4h。本发明制备方法获得基底增强因子高达1.36x108，检测限可以达到10−9 M，具有极好的均匀性和稳定性和强的各向异性。
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公开(公告)号：CN109706525A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811607595.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05-0.5)：(0.05-0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900-1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。
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公开(公告)号：CN115287743B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210982225.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: C30B9/12 , C30B9/08 , C30B9/10 , C30B9/06 , C30B28/04 , C30B29/64 , C30B29/48 , C30B29/52 , C30B29/10 , C30B29/16 , C30B29/22 , C30B29/30
Abstract: 本发明提供一种二维材料的合成方法，其包括以下步骤：将前驱体粉末放置于第一衬底和第二衬底之间；给所述第一衬底和所述第二衬底施加一定压力，在气氛中加热到反应温度，并在该反应温度下保温一段时间；以及降温，将所述第一衬底和所述第二衬底分开。本发明进一步提供一种利用所述二维材料的合成方法所合成的二维材料，以及该二维材料的应用。
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公开(公告)号：CN111501087B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010515463.7
申请日：2020-06-09
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种维度可调的非铅钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述维度可调的非铅钙钛矿单晶，结构式为AIII(3py)2BIIIX6，其中AIII为Ni3+、Co3+、Cr3+，BIII为Bi3+、In3+、Ga3+、Sb3+，X为Cl‑、Br‑、I‑。其通过在ABX3型钙钛矿生长单晶的溶液中用过渡金属配合物替换A位金属阳离子以及添加卤化金属盐制备而成。该类维度可调的非铅钙钛矿材料具有的低维形态能有效的改善单晶内部结构从而形成的主客体系统，有机基团将有效地保护嵌入其中的金属卤化物，提高单晶稳定性，并使材料表现出各个金属卤化物的固有特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106757345B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611025909.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸磷酸钠钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体采用高温熔液法，以助熔剂PbO生长晶体，非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的0.3倍；该晶体具有机械强度适中，易加工，不潮解等特点，同时制备速度快，操作简单，成本低，所制晶体尺寸大等优点，适用于制作非线性的光学器件，在激光系统等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN105862125B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510026660.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化合物钠钾钡硼氧和钠钾钡硼氧光学晶体及制备方法和用途，化合物钠钾钡硼氧的化学式为Na2K2Ba(B9O15)2，分子量为936.10，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=8.493(8)Å，b=8.540(9)Å，c=17.102(16)Å，β=90.453(11)°，V=1240(2)Å3，Z=2。采用固相反应法获得钠钾钡硼氧化合物，再将该化合物采用高温熔液法生长晶体，即可得到钠钾钡硼氧光学晶体。其透光波段在320nm至2600nm之间，该晶体机械硬度适中，易于切割、抛光加工和保存，不溶于水，不潮解，在空气中稳定，适用于制作探测器、飞行器、头罩、整流罩中的窗口材料，显微镜和望远镜中的透镜或潜望镜、双目望远镜、光谱仪等仪器中改变光的进行方向的棱镜等光学器件。
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公开(公告)号：CN106012017B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610323396.2
申请日：2016-05-16
Applicant: 青岛大学
Abstract: 本发明属于新材料制备技术领域，涉及一种经济实用的制备YAG单晶粉体的方法，解决现有水热法制备过程中需要高温高压的苛刻条件且产量低的问题，包括配料与压块、块体熔融、产品析出、熔块破碎、粉体分离和粉体纯化六个工艺步骤；采用常规的硅碳棒箱式炉替代现有高温高压的高压釜，实现常压下制备YAG单晶粉体，其制备的粉体中的粉粒是发育良好的无团聚的单晶体，整个过程是在空气中常压下进行；其整体工艺简单，制备条件易得，制备成本低，产品性能好，应用范围广，实现工业化生产的环境友好。
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公开(公告)号：CN102242389A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010171911.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 山东华特中晶光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法，步骤如下1)采用顶端籽晶+提拉的方法，缓慢降温，稍高一点提速；2)提高熔质浓度，提高其实生长温度；3)溶剂组成提高；4)用[100]方向籽晶，单生长区；5)添加PbO，起始生长温度～1007℃，降温78℃，0.5～3℃/天，45天，拉速0.1～0.9mm/天，正反转动60～20rpm。本发明采用采用顶端籽晶+提拉的方法来制备KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，能有效的抵抗灰迹产生，使KTP晶体的倍频转换效率得到增强。
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公开(公告)号：CN118621447A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410623165.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 松山湖材料实验室 , 中国科学院物理研究所 , 河南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种N‑苄基‑2‑甲基‑4‑硝基苯胺单晶及其制备方法，包括：提供N‑苄基‑2‑甲基‑4‑硝基苯胺晶粒；将所述N‑苄基‑2‑甲基‑4‑硝基苯胺晶粒与二甲基亚砜加入至晶体生长器皿中，对所述晶体生长器皿进行加热，得到溶液熔融体；对所述溶液熔融体进行降温处理，得到所述N‑苄基‑2‑甲基‑4‑硝基苯胺单晶。本发明将高纯度的小颗粒单晶作为单晶生长的前驱体，通过升温和有机溶剂溶解的方法制成单晶生长的过饱和溶液，不存在悬浮晶种，因此一次生长可以获得多颗单晶，并提高晶体生长速度。本发明通过选择更高溶解度溶剂、严格清洁晶体生长容器、选择合适温度和控制降温速率的办法阻止针状小晶粒的形成，进而产生多颗尺寸较大高质量单晶。
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