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公开(公告)号：CN116748100A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310264553.7
申请日：2023-03-20
申请人： 苏州科技大学
摘要： 本发明公开一种二硫化铼表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括以下步骤：将液溴、铼和硫分别放入石英管中，其中铼和硫的物质的量之比为1：2，将石英管放置于三温区管式炉中，将石英管抽真空后将管子密封，将生长区的温度设置为1000℃保温至少5天后自然冷却至室温；将块状单晶ReS2研磨至粉末状，配置8~12mol/L的硝酸溶液，按照每10 mg单晶ReS2对应6~8mL硝酸溶液的配比形成混合液；对混合液利用超声波清洗器进行超声，并控制其温度不超过42℃，超声处理ReS2时间为4h。本发明制备方法获得基底增强因子高达1.36x108，检测限可以达到10−9 M，具有极好的均匀性和稳定性和强的各向异性。
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公开(公告)号：CN109706525A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811607595.1
申请日：2018-12-27
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05-0.5)：(0.05-0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900-1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。
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公开(公告)号：CN114411236A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210124257.2
申请日：2022-02-10
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： C30B9/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , G06F30/28 , G16C20/70 , G16C60/00 , G06F111/06 , G06F113/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。
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公开(公告)号：CN111501087A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010515463.7
申请日：2020-06-09
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种维度可调的非铅钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述维度可调的非铅钙钛矿单晶，结构式为AIII(3py)2BIIIX6，其中AIII为Ni3+、Co3+、Cr3+，BIII为Bi3+、In3+、Ga3+、Sb3+，X为Cl-、Br-、I-。其通过在ABX3型钙钛矿生长单晶的溶液中用过渡金属配合物替换A位金属阳离子以及添加卤化金属盐制备而成。该类维度可调的非铅钙钛矿材料具有的低维形态能有效的改善单晶内部结构从而形成的主客体系统，有机基团将有效地保护嵌入其中的金属卤化物，提高单晶稳定性，并使材料表现出各个金属卤化物的固有特性。
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公开(公告)号：CN109706525B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811607595.1
申请日：2018-12-27
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05‑0.5)：(0.05‑0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900‑1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。
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公开(公告)号：CN106800297A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710043512.X
申请日：2017-01-19
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
CPC分类号： C01B33/20 , C01P2002/72 , C30B9/08 , C30B28/02 , C30B29/34 , G02F1/3551
摘要： 本发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍，其紫外吸收截止边短于200nm，且不吸潮；采用助熔剂法，以Rb2O‑B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体；Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN1053021C
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN96109014.6
申请日：1996-07-23
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及自倍频激光非线性光学晶体材料掺稀土四硼酸铝钆及其熔盐法生长工艺。本发明晶体分子组成为RexGd1-xAl3(BO3)4，0≤x≤0.18，Re为稀土元素或过渡金属，该晶体具有很强的非线性光学性质及良好的激光性质，适合LD泵浦倍频及自倍频激光器应用。将RGAB、K2Mo3O10、Re2O3和B2O3按1∶(2.0～3.0)(0.1～1.2)∶(0.1～1.2)的摩尔比称量，然后按熔盐法工艺生长晶体。以本法生长晶体质量好，工艺稳定，重复率高，设备简单，成本低，操作简便，生长后处理容易。
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公开(公告)号：CN115287743B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210982225.6
申请日：2022-08-16
申请人： 北京航空航天大学
IPC分类号： C30B9/12 , C30B9/08 , C30B9/10 , C30B9/06 , C30B28/04 , C30B29/64 , C30B29/48 , C30B29/52 , C30B29/10 , C30B29/16 , C30B29/22 , C30B29/30
摘要： 本发明提供一种二维材料的合成方法，其包括以下步骤：将前驱体粉末放置于第一衬底和第二衬底之间；给所述第一衬底和所述第二衬底施加一定压力，在气氛中加热到反应温度，并在该反应温度下保温一段时间；以及降温，将所述第一衬底和所述第二衬底分开。本发明进一步提供一种利用所述二维材料的合成方法所合成的二维材料，以及该二维材料的应用。
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公开(公告)号：CN111501087B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010515463.7
申请日：2020-06-09
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种维度可调的非铅钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述维度可调的非铅钙钛矿单晶，结构式为AIII(3py)2BIIIX6，其中AIII为Ni3+、Co3+、Cr3+，BIII为Bi3+、In3+、Ga3+、Sb3+，X为Cl‑、Br‑、I‑。其通过在ABX3型钙钛矿生长单晶的溶液中用过渡金属配合物替换A位金属阳离子以及添加卤化金属盐制备而成。该类维度可调的非铅钙钛矿材料具有的低维形态能有效的改善单晶内部结构从而形成的主客体系统，有机基团将有效地保护嵌入其中的金属卤化物，提高单晶稳定性，并使材料表现出各个金属卤化物的固有特性。
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