公开(公告)号：CN109706525B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201811607595.1

申请日：2018-12-27

申请人： 西安交通大学

发明人： 许章炼 ,  王盛 ,  李帅鹏 ,  苏钲雄 ,  王洁

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B9/08

摘要： 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05‑0.5)：(0.05‑0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900‑1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。

公开(公告)号：CN109706525A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811607595.1

申请日：2018-12-27

申请人： 西安交通大学

发明人： 许章炼 ,  王盛 ,  李帅鹏 ,  苏钲雄 ,  王洁

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B9/08

摘要： 本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05-0.5)：(0.05-0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900-1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。

公开(公告)号：CN117161400A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311112999.4

申请日：2023-08-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 卢晨阳 ,  王曦 ,  高瑞 ,  王云鹏 ,  苏钲雄 ,  杨金学

IPC分类号： B22F10/28 ,  B22F10/366 ,  B22F9/08 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

摘要： 本发明公开了一种事故容错燃料包壳材料FeCrAl合金的激光增材制造方法，包括以下步骤：1)获取FeCrAl合金球形粉末，对FeCrAl合金球形粉末进行打印前处理；2)将FeCrAl合金球形粉末装入打印设备的粉料缸中；3)利用打印设备打印制备成型样件，打印过程中，激光扫描速度为300～500mm/s，铺粉厚度为30～50μm，该方法制备得到的成型样件质量较高。