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公开(公告)号：CN117929349A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114283.6
申请日：2024-01-28
申请人： 苏州科技大学
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明的目的是提供一种表面增强拉曼散射异质结衬底的制备方法，硝酸溶液超声、机械剥离和二维转移等方法，制备具有高增强因子的二硫化铼/石墨烯二维异质结。其制备方法包括以下步骤：将Td相的ReS2置入装有硝酸的离心管中将其超声。随后将其清洗以完全去除杂质。将高定向热解石墨（HOPG）薄片和块状晶体的T@Td相ReS2分别附着在胶带上进行机械剥离，并将石墨烯和ReS2分别转移至洁净的硅片上并按压。随后使用PDMS粘取硅片上的ReS2样品，使用二维转移平台将粘在PDMS上的ReS2少层样品转移至石墨烯上，得到石墨烯/ReS2二维异质结。最后使用探针分子对异质结的增强效果进行测试。本方法步骤简便，是一种极佳的制备方法，样品质量和增强效果优异，探针分子的检测限低至10‑12 M，增强因子高达108，可用于微量物质的高灵敏检测，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN117059397A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310650639.3
申请日：2023-06-04
申请人： 苏州科技大学
摘要： 本发明涉及一种应用于太赫兹波段的可调谐电容器的制备与太赫兹波段电容的测试方法，太赫兹可调谐电容器以铁电薄膜为核心材料，太赫兹波段介电常数为50~300，可调谐电容器由基片，铁电薄膜和插指电极组成。采用高真空脉冲激光沉积方法与微纳加工工艺制备而成。其中铁电薄膜厚度为100~500纳米，插指电极线宽为5~50μm，插指间隙为1~30μm，在0.1‑2.0 THz频段，可调谐电容器电容为1~50 pF，太赫兹波段电容调谐率高于50%。该太赫兹波段的可调谐电容器能够应用于太赫兹波段滤波器、谐振器等器件，本发明可调谐电容器易于大规模生产，具有高的器件集成度和可调控特性。
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公开(公告)号：CN116748100A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310264553.7
申请日：2023-03-20
申请人： 苏州科技大学
摘要： 本发明公开一种二硫化铼表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括以下步骤：将液溴、铼和硫分别放入石英管中，其中铼和硫的物质的量之比为1：2，将石英管放置于三温区管式炉中，将石英管抽真空后将管子密封，将生长区的温度设置为1000℃保温至少5天后自然冷却至室温；将块状单晶ReS2研磨至粉末状，配置8~12mol/L的硝酸溶液，按照每10 mg单晶ReS2对应6~8mL硝酸溶液的配比形成混合液；对混合液利用超声波清洗器进行超声，并控制其温度不超过42℃，超声处理ReS2时间为4h。本发明制备方法获得基底增强因子高达1.36x108，检测限可以达到10−9 M，具有极好的均匀性和稳定性和强的各向异性。
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公开(公告)号：CN215066258U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202121142718.6
申请日：2021-05-26
申请人： 苏州科技大学
IPC分类号： G01N21/956 , G01N21/01 , H01L21/66
摘要： 本实用新型提供一种存储芯片晶元放大检测仪器，属于存储芯片技术领域，该存储芯片晶元放大检测仪器包括底座，底座的上端开设有矩形槽，矩形槽的上侧设置有检测板，底座的侧端固定连接有安装块；移动观测台，移动观测台设置于安装块的一侧，移动观测台的上端和下端分别固定连接有目镜和放大镜；上升机构，上升机构设置于矩形槽内并与检测板连接以实现检测板的升降；以及移动机构，移动机构与移动观测台连接以实现移动观测台的上下移动，本装置通过上升机构可以移动检测板的位置，方便使用者对存储芯片进行打光，同时使用者可以根据移动观测台的移动调整观察高度，使得观察存储芯片更加方便仔细。
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