一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114959897A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210442645.5

    申请日:2022-04-25

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用,该晶体的化学式为Lu(Sc1‑xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001‑0.3,该晶体属于立方晶系,晶胞参数为a=b=c=10.14609,具有高的熔点(2400℃)和优异的机械性能。采用浮区法或者导模法生长,生长出质量较好的晶体,生长气氛为氩气或氮气。与现有技术相比,本发明晶体材料能实现高效近红外波段宽带和超快激光输出,在物理、化学、生物、材料、医学以及交叉学科等前沿科学领域有着极大的应用。

    一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114775056B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202210444405.9

    申请日:2022-04-25

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用,该晶体的化学式为Y(Sc1‑xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001‑0.3,该晶体属于立方晶系,晶胞参数为a=b=c=10.18802,具有高的熔点(>2000℃)、低的声子能量(400cm‑1)和优异的机械性能,采用浮区法或者导模法生长。与现有技术相比,本发明晶体材料能实现高效可调谐和超快激光输出,通过啁啾脉冲放大(CPA)技术可使超短脉冲激光的峰值功率达到几十个拍瓦,几十亿电子伏特,甚至几万亿电子伏特的能量,是目前人类认知中最亮的光源。在这样的激光特性下,激光与物质的相互作用将会进入一个从未有过的强相对论性和高非线性的领域,将在激光聚变、离子加速、高能物理等方面有极大的应用潜力和价值。

    一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114775056A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210444405.9

    申请日:2022-04-25

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用,该晶体的化学式为Y(Sc1‑xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001‑0.3,该晶体属于立方晶系,晶胞参数为a=b=c=10.18802,具有高的熔点(>2000℃)、低的声子能量(400cm‑1)和优异的机械性能,采用浮区法或者导模法生长。与现有技术相比,本发明晶体材料能实现高效可调谐和超快激光输出,通过啁啾脉冲放大(CPA)技术可使超短脉冲激光的峰值功率达到几十个拍瓦,几十亿电子伏特,甚至几万亿电子伏特的能量,是目前人类认知中最亮的光源。在这样的激光特性下,激光与物质的相互作用将会进入一个从未有过的强相对论性和高非线性的领域,将在激光聚变、离子加速、高能物理等方面有极大的应用潜力和价值。

    一种封盖式引晶的导模法生长封口蓝宝石管的模具和方法

    公开(公告)号:CN110453283A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910859058.4

    申请日:2019-09-11

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种封盖式引晶的导模法生长封口蓝宝石管的模具及方法,包括熔炉、籽晶(1)、坩埚(5),以及装在坩埚(5)内的原料(6)和模具,所述的模具为组合式钼质长晶模具,包括外筒(3)和内芯(4),外筒(3)和内芯(4)之间为环形供料缝,其中内芯(4)顶端设有凹槽(41)。方法包括:热场安装、投料、抽真空、充保护气、升温化料、升坩埚供料、引晶、提拉生长、降坩埚停止供料并提拉晶体脱离模具、降温退火等过程。与现有技术相比,本发明能够有效控制整个晶体管上下及壁厚的均匀性,坩埚升高高度控制可通过长晶长度所需原料重量体积和模具高度位置等计算得到,生长过程可见可控,晶体质量高。

    一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114959897B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202210442645.5

    申请日:2022-04-25

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用,该晶体的化学式为Lu(Sc1‑xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001‑0.3,该晶体属于立方晶系,晶胞参数为a=b=c=10.14609,具有高的熔点(2400℃)和优异的机械性能。采用浮区法或者导模法生长,生长出质量较好的晶体,生长气氛为氩气或氮气。与现有技术相比,本发明晶体材料能实现高效近红外波段宽带和超快激光输出,在物理、化学、生物、材料、医学以及交叉学科等前沿科学领域有着极大的应用。

    一种导模法定向结晶装置及基于该装置的生长方法

    公开(公告)号:CN114635183B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202210324134.3

    申请日:2022-03-29

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种导模法定向结晶装置,包括:坩埚,坩埚盖,通过吊杆吊起;模具,所述模具中间设有竖直的毛细通道,所述模具下端伸入所述坩埚内;籽晶杆,位于所述坩埚盖上部,所述籽晶杆下端固定籽晶,所述籽晶靠近所述模具的上端模具口。本发明模具中间设有竖直的毛细通道,开始结晶,晶体能够沿籽晶定向生长,生长出优质的晶体;坩埚盖通过吊杆吊起,不受力于坩埚,在结晶过程中,通过坩埚下移,将结晶在模具上的晶体与坩埚很好的分离,有助于保护昂贵金属坩埚。本发明有效解决高熔点氧化物晶体生长困难、坩埚难清理的问题,所生长晶体质量高,尺寸大,降低生产成本,工作效率高,具有较大的经济使用价值。

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