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公开(公告)号：CN109827814A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910182873.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型大气颗粒物琼脂采样膜制备及免溶剂提取细胞暴露方法。方法为：将琼脂粉或琼脂糖和水混合，加热溶解混匀，倒入制胶盘，铺平，成型，冷冻干燥，压平裁剪得到琼脂采样膜，再配合采样器采集大气颗粒物，将采集后的琼脂采样膜用培养基或水溶出大气颗粒物，用于细胞毒性实验。本发明解决了目前常用的大气颗粒物采样膜在用于暴露大气颗粒物细胞信号转导研究中，均需要经过提取才能获得大气颗粒物成分，且提取效率不高的问题。本发明琼脂采样膜的制备方法简单易行，绿色安全，可实现大规模批量化生产，制成的膜具有表面平整内部多孔的结构、柔软易于裁剪、较高的大气颗粒物采集效率、良好的生物兼容性以及不易滋生细菌等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110408989A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN109371468A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1-x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1-x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN108531974A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810343203.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。
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公开(公告)号：CN109371468B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1‑x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN110408989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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