公开(公告)号：CN115558103B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202211222024.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  王一平

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供一种基于金属配位交联的高韧性聚酰亚胺抗静电薄膜及其制备方法。本发明利用含氮杂环二胺作为螯合配体，金属离子作为中心原子，螯合化合物作为交联基团，合成原料包括芳香基二胺类单体和四羧酸二酐类单体，在无水条件下低温反应生成预聚体溶液，经程序化升温得到聚酰亚胺薄膜材料，所制备的聚合物薄膜材料的界面摩擦电压、电流、电荷密度由纳米摩擦发电机测得；所制备的聚合物薄膜材料的击穿强度由耐压测试仪测得。本发明所制备的聚酰亚胺薄膜材料，由于动态金属配位键的存在，具备拉伸强度高、伸长率长、界面摩擦电压低以及抗击穿强度高的优点。

公开(公告)号：CN1603279A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410064900.9

申请日：2004-10-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁国亮 ,  刘俊明 ,  王一平 ,  刘治国

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/32 ,  C04B35/36 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1－xAxFe1－yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化－电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30°度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。

公开(公告)号：CN115558103A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211222024.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  王一平

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供一种基于金属配位交联的高韧性聚酰亚胺抗静电薄膜及其制备方法。本发明利用含氮杂环二胺作为螯合配体，金属离子作为中心原子，螯合化合物作为交联基团，合成原料包括芳香基二胺类单体和四羧酸二酐类单体，在无水条件下低温反应生成预聚体溶液，经程序化升温得到聚酰亚胺薄膜材料，所制备的聚合物薄膜材料的界面摩擦电压、电流、电荷密度由纳米摩擦发电机测得；所制备的聚合物薄膜材料的击穿强度由耐压测试仪测得。本发明所制备的聚酰亚胺薄膜材料，由于动态金属配位键的存在，具备拉伸强度高、伸长率长、界面摩擦电压低以及抗击穿强度高的优点。

公开(公告)号：CN1272277C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200410064900.9

申请日：2004-10-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁国亮 ,  刘俊明 ,  王一平 ,  刘治国

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/32 ,  C04B35/36 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1-xAxFe1-yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化-电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。