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公开(公告)号：CN100429524C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200610040817.7
申请日：2006-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种直流磁场传感器，包括磁电元件和感应线圈，其中的磁电元件的两个电极与交变电源连接，其特征在于：所述的磁电元件采用具有磁电效应的材料；所述感应线圈缠绕在磁电元件外部，该感应线圈的两端为传感器输出端。由于磁电效应，外加的交变电场使磁电元件的内部发生磁化，该磁化可被外部感应线圈灵敏地感应而产生一个感应电动势。当所述直流磁场传感器被放置在直流磁场中时，由于磁电元件的磁电效应随直流磁场的变化而呈现出一定的规律变化，其磁化状态将随之发生变化，进而导致外部感应线圈的感应电动势发生变化，因此，通过检测外部感应线圈的感应电动势幅值，即可获得被探测直流磁场的大小。
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公开(公告)号：CN105679840A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610222065.X
申请日：2016-04-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1-xNbxO3中的一种，0
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公开(公告)号：CN101172607B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710133857.0
申请日：2007-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C01B33/021 , B82B3/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶硅纳米颗粒的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)选用去离子水为溶液用以制备不含表面活性剂包覆的硅颗粒；或配置十六烷基三甲基溴化铵溶液用以制备表面活性剂包覆的硅量子点。(2)将硅靶置于盛有(1)所制备的溶液的烧杯中，然后用准分子激光束辐照硅靶。(3)取出硅靶，溶液中即含有所制备的非晶态硅量子点。本发明的有益效果是方法简单、易行、经济和快速；无毒性；有望成为新的生物传感器的基础材料；所获得的硅量子点可以在有无表面活性剂包覆间选择，从而有更大的应用灵活性和范围。
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公开(公告)号：CN1794480A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510095333.8
申请日：2005-11-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种磁电复合材料，它是由磁致伸缩材料矩形片和相同形状、上下表面具有一对平面电极的、沿着厚度方向极化压电材料矩形片层合而成的磁电复合材料。沿着长度方向对上述磁电复合材料矩形片施加一交流磁场和一直流偏置磁场，当施加的交流磁场频率等于上述磁电复合材料矩形片的一阶弯曲共振频率时，上述磁电复合材料矩形片将发生弯曲共振，压电层输出电压，实现磁能到电能的转换。当所施加的直流偏置磁场强度适当时，压电层输出的电压达到最大，并且能量转换效率也达到最大。本发明的磁电复合材料同径向或纵向共振耦合模式相比，其弯曲共振频率极低，并具有较高的磁电耦合效率，同时仍能保持较高的磁电耦合输出，可以有效实现磁电耦合元件的小型化。
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公开(公告)号：CN1225805C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03132167.4
申请日：2003-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种磁电复合材料，它是一个矩形片(1)，矩形片沿着长度方向被分成第一区(A1)和第二区(A2)两个区域，第一区(A1)由磁致伸缩材料构成，第二区(A2)由压电材料构成，第一区(A1)与第二区(A2)之间以粘结剂结合，在第二区(A2)，具有一对平面电极(4a和4b)，压电材料沿着厚度方向(5)极化。所述的磁致伸缩材料是具有磁致伸缩效应的合金或氧化物或者它们与聚合物复合形成的磁致伸缩复合材料。所述压电材料是具有压电效应的陶瓷或者压电陶瓷与聚合物形成的压电复合材料。对磁致伸缩复合材料矩形片(2)沿着长度方向施加直流偏磁场和小信号的交流磁场，磁电复合材料矩形片(1)在60kHz附近产生共振，并由压电复合材料矩形片(3)输出电压，实现磁-电耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1106582A
公开(公告)日：1995-08-09
申请号：CN94101603.X
申请日：1994-02-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种声学超晶格材料制成的超高频声光器件，其特征是用直拉法制备的具有180度畴反转结构的铁电单晶体和用MOCVD，PLD方法制备的压电材料和非压电材料或多种压电系数不同的压电材料交替迭合的多层复合材料与声光互作用介质以铟冷压焊或超声焊等方法键合而成，在超晶格材料的两面均镀有或生长有导电电极。
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公开(公告)号：CN101286545A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810098905.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。
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公开(公告)号：CN101172607A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710133857.0
申请日：2007-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C01B33/021 , B82B3/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶硅纳米颗粒的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)选用去离子水为溶液用以制备不含表面活性剂包覆的硅颗粒；或配置十六烷基三甲基溴化铵溶液用以制备表面活性剂包覆的硅量子点。(2)将硅靶置于盛有(1)所制备的溶液的烧杯中，然后用准分子激光束辐照硅靶。(3)取出硅靶，溶液中即含有所制备的非晶态硅量子点。本发明的有益效果是方法简单、易行、经济和快速；无毒性；有望成为新的生物传感器的基础材料；所获得的硅量子点可以在有无表面活性剂包覆间选择，从而有更大的应用灵活性和范围。
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公开(公告)号：CN1900732A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610040817.7
申请日：2006-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种直流磁场传感器，包括磁电元件和感应线圈，其中的磁电元件的两个电极与交变电源连接，其特征在于：所述的磁电元件采用具有磁电效应的材料；所述感应线圈缠绕在磁电元件外部，该感应线圈的两端为传感器输出端。由于磁电效应，外加的交变电场使磁电元件的内部发生磁化，该磁化可被外部感应线圈灵敏地感应而产生一个感应电动势。当所述直流磁场传感器被放置在直流磁场中时，由于磁电元件的磁电效应随直流磁场的变化而呈现出一定的规律变化，其磁化状态将随之发生变化，进而导致外部感应线圈的感应电动势发生变化，因此，通过检测外部感应线圈的感应电动势幅值，即可获得被探测直流磁场的大小。
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公开(公告)号：CN1272277C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200410064900.9
申请日：2004-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/32 , C04B35/36 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1-xAxFe1-yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化-电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。
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