公开(公告)号：CN105679840B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201610222065.X

申请日：2016-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 颜志波 ,  刘俊明

IPC: H01L29/92 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1‑xNbxO3中的一种，0

公开(公告)号：CN105679840A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610222065.X

申请日：2016-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 颜志波 ,  刘俊明

IPC: H01L29/92 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L29/92 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1-xNbxO3中的一种，0