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公开(公告)号：CN113793901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111087618.2
申请日：2021-09-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机场效应晶体管器件的写入/擦除工作电压；并且通过调节混合物中N‑型有机半导体的比例将并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度调节至合理范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的写入/擦除速度，良好的写入/擦除可靠性及数据保持能力，从而提升并五苯有机场效应晶体管器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN102231365A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010579216.X
申请日：2010-12-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/792 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。
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公开(公告)号：CN102208346A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110102040.3
申请日：2011-04-22
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L29/513 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/083 , C23C14/14 , C23C14/28 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C16/0227 , C23C16/403 , C23C28/042 , G11C16/0475 , H01L21/28273 , H01L29/4234
Abstract: 本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1-x薄膜作为存储层，其中1＞x＞0.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出作为存储介质。本发明经过高温退火处理的手段，使ZrO2纳米微晶从存储层母相中析出，从而实现纳米微晶存储的效果。这种方法所得作为存储介质的纳米微晶均匀分布在非晶母相中。
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公开(公告)号：CN101498042B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910025901.5
申请日：2009-03-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B29/16 , C30B28/14 , H01L21/363 , C23C14/28 , C23C14/08
Abstract: 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoOx(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoOx靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoOx靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的Co3O4薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Co3O4薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。
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公开(公告)号：CN101660128A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910035389.2
申请日：2009-09-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜及其制备方法，通过掺杂Y 2 O 3 获得稳定的立方相的HfO 2 薄膜，Y 2 O 3 的掺杂量的摩尔百分比为0到28之间，所述HfO 2 在常温下为立方相，介电常数27.2。栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜利用脉冲激光沉积技术，使用由Y 2 O 3 稳定的立方相HfO 2 陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备。本发明利用脉冲激光沉积的方法，采用金属氧化物Y 2 O 3 和HfO 2 为原材料，以两种材料的二元相图为依据，通过高温固相反应在常温下获得了常温下稳定的立方相HfO 2 ，显著提高了其在常温下的介电常数，并制备得到EOT值小于1.5nmYSH薄膜，这对于HfO 2 这种最具潜力的栅介质材料在将来的应用中提供了新的活力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101649443A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910184700.X
申请日：2009-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La 2 O 3 和40-60％的Lu 2 O 3 粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材；将镧镥氧化物陶瓷靶材固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室中，用真空泵将生长室抽真空到5.0×10 -4 Pa以下；用电炉丝将衬底台加热至300～500℃；启动激光器，使激光束通过聚焦透镜聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材上，在衬底上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN100564591C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710021627.5
申请日：2007-04-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子X掺杂的SrTiO3，用公式X:SrTiO3表示，其中X为Cr3+、Zn2+、Al3+、Ga3+、Ge3+、In3+、W6+、Ta5+、Nb5+或V5+中的一种；其掺杂浓度为0.01-10mol%；其制法是按X的掺杂浓度称量原材料X的有机盐或硝酸盐、(CH3COO)2Sr.0.5H2O和Ti(OC2H5)4，将上述原料分别加到甲醇中，然后分别加入醋酸，加热搅拌至透明止，然后将含Sr2+、Ti4+和X的三种甲醇溶液进行混合，搅拌至透明，用甲醇调节浓度，用醋酸或氨水调节pH，用甩胶设备将上述混合溶液沉积在衬底上，置于管式炉中退火得到第一层薄膜，经多次沉积直至薄膜厚达10纳米-1微米，再将膜置于管式炉中退火，使薄膜完全结晶。该薄膜可应用于建材表面、镜面、金属及陶瓷器表面的涂层及室内局部空气净化。
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公开(公告)号：CN101556986A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910027767.2
申请日：2009-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态－结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造。本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为AgxGeyTez，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100－x－y，所述多态阻变材料的熔点为330－400℃，结晶温度为180－280℃。本发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN101498042A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910025901.5
申请日：2009-03-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B29/16 , C30B28/14 , H01L21/363 , C23C14/28 , C23C14/08
Abstract: 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoOx(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoOx靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoOx靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的Co3O4薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Co3O4薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。
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公开(公告)号：CN101476104A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810243410.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。
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