公开(公告)号：CN102231365A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201010579216.X

申请日：2010-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  刘治国 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  李爱东

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。

公开(公告)号：CN102208346A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110102040.3

申请日：2011-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L21/334 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/513 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/403 ,  C23C28/042 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/4234

Abstract: 本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1-x薄膜作为存储层，其中1＞x＞0.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出作为存储介质。本发明经过高温退火处理的手段，使ZrO2纳米微晶从存储层母相中析出，从而实现纳米微晶存储的效果。这种方法所得作为存储介质的纳米微晶均匀分布在非晶母相中。

公开(公告)号：CN101864556A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010172490.5

申请日：2010-05-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  周越 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01L27/115

Abstract: 一种高介电系数钛铝氧薄膜，薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3)1-x，其中0.2≤x≤0.5，制备方法是用脉冲激光沉积技术，使用(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备：先制备(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材，然后放置在脉冲激光沉积系统的靶台上，硅衬底材料放到衬底台上，靶台和衬底台均放置在生长室内；通过脉冲激光束通过聚焦透镜将激光束聚焦在(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材上，利用脉冲激光剥离陶瓷靶材，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得钛铝氧薄膜；并保证激光束等离子体均匀沉积在衬底上。可制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101819995A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010147721.7

申请日：2010-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  高立刚 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。

公开(公告)号：CN101819995B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010147721.7

申请日：2010-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  高立刚 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。

公开(公告)号：CN102208346B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201110102040.3

申请日：2011-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L21/334 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/513 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/403 ,  C23C28/042 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/4234

Abstract: 本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1-x薄膜作为存储层，其中1＞x＞O.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出作为存储介质。本发明经过高温退火处理的手段，使ZrO2纳米微晶从存储层母相中析出，从而实现纳米微晶存储的效果。这种方法所得作为存储介质的纳米微晶均匀分布在非晶母相中。

公开(公告)号：CN102231365B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010579216.X

申请日：2010-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  刘治国 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  李爱东

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。