公开(公告)号：CN101864556A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010172490.5

申请日：2010-05-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  周越 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01L27/115

Abstract: 一种高介电系数钛铝氧薄膜，薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3)1-x，其中0.2≤x≤0.5，制备方法是用脉冲激光沉积技术，使用(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备：先制备(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材，然后放置在脉冲激光沉积系统的靶台上，硅衬底材料放到衬底台上，靶台和衬底台均放置在生长室内；通过脉冲激光束通过聚焦透镜将激光束聚焦在(TiO2)x(Al2O3)1-x陶瓷靶材上，利用脉冲激光剥离陶瓷靶材，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得钛铝氧薄膜；并保证激光束等离子体均匀沉积在衬底上。可制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101660128A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910035389.2

申请日：2009-09-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 石磊 ,  周越 ,  刘治国 ,  殷江

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06

Abstract: 一种栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜及其制备方法，通过掺杂Y 2 O 3 获得稳定的立方相的HfO 2 薄膜，Y 2 O 3 的掺杂量的摩尔百分比为0到28之间，所述HfO 2 在常温下为立方相，介电常数27.2。栅电介质材料立方相HfO 2 薄膜利用脉冲激光沉积技术，使用由Y 2 O 3 稳定的立方相HfO 2 陶瓷靶材，在高真空低氧分压下制备。本发明利用脉冲激光沉积的方法，采用金属氧化物Y 2 O 3 和HfO 2 为原材料，以两种材料的二元相图为依据，通过高温固相反应在常温下获得了常温下稳定的立方相HfO 2 ，显著提高了其在常温下的介电常数，并制备得到EOT值小于1.5nmYSH薄膜，这对于HfO 2 这种最具潜力的栅介质材料在将来的应用中提供了新的活力。