公开(公告)号：CN101819995B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010147721.7

申请日：2010-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  高立刚 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。

公开(公告)号：CN100587995C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810155732.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 国洪轩 ,  闫小兵 ,  高立刚 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1-x-y，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag-Ge-O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag-Ge-O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101819995A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010147721.7

申请日：2010-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  高立刚 ,  汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息存储和金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料中。

公开(公告)号：CN100587965C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810157085.9

申请日：2008-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 高立刚 ,  国洪轩 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La2O3)x(SiO2)1-x，其中x的取值范围为0.4≤x≤0.6，其制备方法是启动KrF准分子激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(2)将激光束聚焦在LSO陶瓷靶材(5)上，用脉冲激光剥离LSO陶瓷靶材(5)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得硅酸镧薄膜，其物理厚度为5nm的非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为16.9，等效氧化物厚度为1.11nm，漏电流为21.7A/cm2，没有界面层产生，本发明的硅酸镧薄膜应用于金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料。

公开(公告)号：CN101369629A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810155732.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 国洪轩 ,  闫小兵 ,  高立刚 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1－x－y，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag－Ge－O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag－Ge－O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101355099A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810157085.9

申请日：2008-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 高立刚 ,  国洪轩 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La2O3)x(SiO2)1－x，其中x的取值范围为0.4≤x≤0.6，其制备方法是启动KrF准分子激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(2)将激光束聚焦在LSO陶瓷靶材(5)上，用脉冲激光剥离LSO陶瓷靶材(5)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得硅酸镧薄膜，其物理厚度为5nm的非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为16.9，等效氧化物厚度为1.11nm，漏电流为21.7A/cm2，没有界面层产生，本发明的硅酸镧薄膜应用于金属－氧化物－半导体场效应管的栅电介质材料。