公开(公告)号：CN100587995C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810155732.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 国洪轩 ,  闫小兵 ,  高立刚 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1-x-y，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag-Ge-O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag-Ge-O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101369629A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810155732.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 国洪轩 ,  闫小兵 ,  高立刚 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1－x－y，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag－Ge－O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag－Ge－O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。