公开(公告)号：CN101649443B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910184700.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 李魁 ,  夏奕东 ,  国洪轩 ,  高旭 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01L45/00

Abstract: 一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La2O3和40-60％的Lu2O3粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材；将镧镥氧化物陶瓷靶材固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室中，用真空泵将生长室抽真空到5.0×10-4Pa以下；用电炉丝将衬底台加热至300～500℃；启动激光器，使激光束通过聚焦透镜聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材上，在衬底上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN101643890A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910034820.1

申请日：2009-09-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  高旭 ,  夏奕东 ,  任建强 ,  刘治国

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/58 ,  H01L45/00

Abstract: 阻变氧化物Lu 2 O 3 薄膜的制备方法和应用，步骤如下：a)Lu 2 O 3 陶瓷靶材的制备：将氧化镥粉末经研钵研磨后冷压成圆柱形薄片，并在箱式电阻炉中烧结，温度范围为：1400±100℃，得到致密的Lu 2 O 3 陶瓷靶材；b)将烧结好的Lu 2 O 3 靶材放在脉冲激光沉积成膜系统生长室中的靶台上，衬底固定在生长室中的衬底台上；真空度8±3×10 -5 Pa；c)激光沉积Lu 2 O 3 薄膜的厚度至50±20nm；d)将沉积好的薄膜置于快速热退火炉中，在氩气气氛保护下200℃退火60±30秒；所述衬底为金属薄膜、SiO 2 或Si(111)衬底。

公开(公告)号：CN101498042B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910025901.5

申请日：2009-03-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  高旭 ,  季剑锋 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C30B29/16 ,  C30B28/14 ,  H01L21/363 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoOx(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoOx靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoOx靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的Co3O4薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Co3O4薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。

公开(公告)号：CN101649443A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910184700.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 李魁 ,  夏奕东 ,  国洪轩 ,  高旭 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01L45/00

Abstract: 一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La 2 O 3 和40-60％的Lu 2 O 3 粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材；将镧镥氧化物陶瓷靶材固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室中，用真空泵将生长室抽真空到5.0×10 -4 Pa以下；用电炉丝将衬底台加热至300～500℃；启动激光器，使激光束通过聚焦透镜聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材上，在衬底上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN101498042A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910025901.5

申请日：2009-03-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  高旭 ,  季剑锋 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C30B29/16 ,  C30B28/14 ,  H01L21/363 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoOx(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoOx靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoOx靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的Co3O4薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Co3O4薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。

公开(公告)号：CN114842873A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210399955.3

申请日：2022-04-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 林军 ,  高旭 ,  王中风

IPC: G10L25/51 ,  G10L25/30 ,  G10L25/03 ,  G10L21/02 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请提供了一种基于水声辐射音频数据的船舶分类方法及系统。所述船舶分类方法包括获取待分类船舶的目标水声辐射音频数据；对目标水声辐射音频数据按照预设转换方法进行处理，得到目标待分类声谱图；使用已训练的船舶分类模型对目标待分类声谱图进行分类处理，得到待分类船舶的目标类别。所述船舶分类方法得到的分类结果精度高。