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公开(公告)号：CN101643890A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910034820.1
申请日：2009-09-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 阻变氧化物Lu 2 O 3 薄膜的制备方法和应用，步骤如下：a)Lu 2 O 3 陶瓷靶材的制备：将氧化镥粉末经研钵研磨后冷压成圆柱形薄片，并在箱式电阻炉中烧结，温度范围为：1400±100℃，得到致密的Lu 2 O 3 陶瓷靶材；b)将烧结好的Lu 2 O 3 靶材放在脉冲激光沉积成膜系统生长室中的靶台上，衬底固定在生长室中的衬底台上；真空度8±3×10 -5 Pa；c)激光沉积Lu 2 O 3 薄膜的厚度至50±20nm；d)将沉积好的薄膜置于快速热退火炉中，在氩气气氛保护下200℃退火60±30秒；所述衬底为金属薄膜、SiO 2 或Si(111)衬底。
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