公开(公告)号：CN101476104A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810243410.3

申请日：2008-12-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  吕仕成 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  G11B9/06

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。

公开(公告)号：CN101476104B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810243410.3

申请日：2008-12-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  吕仕成 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  G11B9/06

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。