公开(公告)号：CN113793901A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111087618.2

申请日：2021-09-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘珍良 ,  于天鹏 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机场效应晶体管器件的写入/擦除工作电压；并且通过调节混合物中N‑型有机半导体的比例将并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度调节至合理范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的写入/擦除速度，良好的写入/擦除可靠性及数据保持能力，从而提升并五苯有机场效应晶体管器件的工作性能。

公开(公告)号：CN113793901B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202111087618.2

申请日：2021-09-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘珍良 ,  于天鹏 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/80 ,  H10K85/10 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机场效应晶体管器件的写入/擦除工作电压；并且通过调节混合物中N‑型有机半导体的比例将并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度调节至合理范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的写入/擦除速度，良好的写入/擦除可靠性及数据保持能力，从而提升并五苯有机场效应晶体管器件的工作性能。