公开(公告)号：CN116023656B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202211224469.4

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学 ,  四川茵地乐材料科技集团有限公司

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  刘彩霞 ,  朱唐宋 ,  潘毅 ,  王毅 ,  陈强 ,  施建志 ,  杜鸿昌

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种基于特定组合的氟代二酐所制得的低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备工艺。

公开(公告)号：CN115558103B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202211222024.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  王一平

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供一种基于金属配位交联的高韧性聚酰亚胺抗静电薄膜及其制备方法。本发明利用含氮杂环二胺作为螯合配体，金属离子作为中心原子，螯合化合物作为交联基团，合成原料包括芳香基二胺类单体和四羧酸二酐类单体，在无水条件下低温反应生成预聚体溶液，经程序化升温得到聚酰亚胺薄膜材料，所制备的聚合物薄膜材料的界面摩擦电压、电流、电荷密度由纳米摩擦发电机测得；所制备的聚合物薄膜材料的击穿强度由耐压测试仪测得。本发明所制备的聚酰亚胺薄膜材料，由于动态金属配位键的存在，具备拉伸强度高、伸长率长、界面摩擦电压低以及抗击穿强度高的优点。

公开(公告)号：CN115584022B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202211222874.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学 ,  四川茵地乐材料科技集团有限公司

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  刘彩霞 ,  潘毅 ,  王毅 ,  陈强 ,  任书贤 ,  施建志 ,  杜鸿昌

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明公开了一种含笼型倍半硅氧烷(Double‑decker双官能团POSS)的低介电常数聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，由双氨基封端的笼型倍半硅氧烷、二胺单体和二酐单体组成，其中双氨基封端聚倍半硅氧烷的质量含量为2％～10％，二胺单体和二酐单体的摩尔比为1：1～1.05。本发明提供的聚倍半硅氧烷(POSS)聚酰亚胺薄膜材料具有较低的介电常数，兼具聚酰亚胺材料原有的优异力学性能。所述POSS的化学结构式由以下结构式所示：本发明通过POSS二胺单体制备出低介电常数，高拉伸强度的聚酰亚胺薄膜材料，适用于5G电子封装材料。(56)对比文件Ning Liu,et.al..“organic-inorganicpolyimides with double deckersilsesquioxane in the main chains”，《Polymer Chemistry》,2016.7..2016,1158-1167.

公开(公告)号：CN115558103A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211222024.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  王一平

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供一种基于金属配位交联的高韧性聚酰亚胺抗静电薄膜及其制备方法。本发明利用含氮杂环二胺作为螯合配体，金属离子作为中心原子，螯合化合物作为交联基团，合成原料包括芳香基二胺类单体和四羧酸二酐类单体，在无水条件下低温反应生成预聚体溶液，经程序化升温得到聚酰亚胺薄膜材料，所制备的聚合物薄膜材料的界面摩擦电压、电流、电荷密度由纳米摩擦发电机测得；所制备的聚合物薄膜材料的击穿强度由耐压测试仪测得。本发明所制备的聚酰亚胺薄膜材料，由于动态金属配位键的存在，具备拉伸强度高、伸长率长、界面摩擦电压低以及抗击穿强度高的优点。

公开(公告)号：CN116023656A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211224469.4

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学 ,  四川茵地乐材料科技集团有限公司

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  刘彩霞 ,  朱唐宋 ,  潘毅 ,  王毅 ,  陈强 ,  施建志 ,  杜鸿昌

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种基于特定组合的氟代二酐所制得的低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备工艺。

公开(公告)号：CN115584022A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211222874.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京大学 ,  四川茵地乐材料科技集团有限公司

Inventor： 贾叙东 ,  张秋红 ,  朱唐宋 ,  刘彩霞 ,  潘毅 ,  王毅 ,  陈强 ,  任书贤 ,  施建志 ,  杜鸿昌

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明公开了一种含笼型倍半硅氧烷(Double‑decker双官能团POSS)的低介电常数聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，由双氨基封端的笼型倍半硅氧烷、二胺单体和二酐单体组成，其中双氨基封端聚倍半硅氧烷的质量含量为2％～10％，二胺单体和二酐单体的摩尔比为1：1～1.05。本发明提供的聚倍半硅氧烷(POSS)聚酰亚胺薄膜材料具有较低的介电常数，兼具聚酰亚胺材料原有的优异力学性能。所述POSS的化学结构式由以下结构式所示：本发明通过POSS二胺单体制备出低介电常数，高拉伸强度的聚酰亚胺薄膜材料，适用于5G电子封装材料。