公开(公告)号：CN1120250C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN00112548.6

申请日：2000-09-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  吴迪 ,  凌惠琴 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C30B30/02 ,  H01L41/22 ,  H01L49/00

Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法，通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中，对湿膜热分解转变成无定型态的干膜，在后续的高温退火结晶过程中，引入直流低电场，来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看，效果非常明显，特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜，能诱导出极强的c轴取向。

公开(公告)号：CN1288981A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00112548.6

申请日：2000-09-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  吴迪 ,  凌惠琴 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C30B30/02 ,  H01L41/22 ,  H01L49/00

Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法,通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中,对湿膜热分解转变成无定型态的干膜,在后续的高温退火结晶过程中,引入直流低电场,来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看,效果非常明显,特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜,能诱导出极强的C轴取向。