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公开(公告)号：CN101777615B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
申请人： 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
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公开(公告)号：CN101777615A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
申请人： 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
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公开(公告)号：CN112731535A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201911033979.1
申请日：2019-10-28
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提出了一种基于电荷感应的接近觉探测方法，其显著特征在于：利用同一平面内共地的n×m个探测电极阵列进行接近觉的探测，当目标垂直于电极平面向电极方向运动时，根据电荷感应原理，电极将同时输出多组数据，根据最大的三组数据先对目标进行初步定位，再用多元超越方程二分法对物体进行精确定位。其显著优势在于：可以实现的量程范围约为1mm～20m，实现了量程向距离觉探测范围的过渡；基于电荷感应原理，可以实现遮挡物的穿透，且不受目标颜色和粗糙度，以及环境亮度的影响。
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公开(公告)号：CN108878469A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN106129204B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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公开(公告)号：CN106785913A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710005563.3
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
CPC分类号： H01S5/34333 , H01S5/3013
摘要： 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN103966621B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410026998.2
申请日：2014-01-21
申请人： 南京大学
CPC分类号： Y02E60/366
摘要： 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm?5um，InGaN层、10nm?1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1?5μm、InGaN层厚度100?500nm；DBR层为8?16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40?70nm和60?90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。
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公开(公告)号：CN102912315A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210344800.6
申请日：2012-09-17
申请人： 南京大学
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02
摘要： 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。
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公开(公告)号：CN102856172A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210320301.3
申请日：2012-08-31
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/30617
摘要： 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。
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公开(公告)号：CN102828240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
申请人： 南京大学
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
摘要： 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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