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公开(公告)号：CN117320460A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311399279.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 南京大学
IPC: H10K10/46
Abstract: 一种双功能n‑型半导体插层并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层同时作为修饰层和电荷俘获层，器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜的厚度为1‑200nm，提供能移动的n‑型载流子(电子)，且具有相当载流子浓度；隧穿层为绝缘体，避免写入/擦除操作过程中空穴被电荷俘获介质中的深能级陷阱俘获，从而减少了在多次写入/擦除循环后器件转移特性曲线阈值电压的偏移，提高了器件的抗疲劳特性。
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