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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112366274B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011153410.1
申请日：2020-10-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用n‑型半导体插层提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源(漏)电极的有机场效应晶体管器件中，在绝缘层和聚合物介质薄膜之间设置一n‑型半导体薄膜插层；n‑型半导体插层厚度为1‑200nm；通过n‑型半导体插层中界面处的感生电子降低并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过调节n‑型半导体插层中n‑型载流子数量调节并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度至合理的范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的编程/擦除速度，良好的编程/擦除可靠性及数据保持能力。
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公开(公告)号：CN110047842A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910196197.3
申请日：2019-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/11563
Abstract: 一种硅基电荷俘获型存储器件，在p-Si衬底上依次为：SiO2过渡层、隧穿层、电荷俘获介质层、阻挡层(介质)、栅电极，衬底还设有衬底电极；在衬底Si与隧穿层介质Al2O3间增加一层SiO2过渡层；SiO2过渡层厚度为0.1-2.5nm；SiO2过渡层厚度与隧穿介质Al2O3的厚度之和为2～6nm。SiO2制备方法使用热氧化方法。利用SiO2过渡层与Si衬底间较低的电子态密度可以减少Si/Al2O3界面的界面态密度从而达到提高硅基电荷俘获型存储器件可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN111162167A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911336850.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中，聚合物介质和并五苯之间设置一n-型半导体薄膜过渡层；n-型半导体过渡层厚度为1-100nm；通过n-型半导体过渡层中界面处的感生电子降低并五苯与电荷俘获介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过有机半导体过渡层中电离施主所形成的带正电的空间电荷区阻碍聚合物介质薄膜中被俘获的正电荷(空穴)逃逸到并五苯薄膜中，提高并五苯有机半导体晶体管器件的编程/擦除可靠性及数据保持能力，提升并五苯有机场效应晶体管工作性能。
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公开(公告)号：CN111162167B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911336850.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中，聚合物介质和并五苯之间设置一n‑型半导体薄膜过渡层；n‑型半导体过渡层厚度为1‑100nm；通过n‑型半导体过渡层中界面处的感生电子降低并五苯与电荷俘获介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过有机半导体过渡层中电离施主所形成的带正电的空间电荷区阻碍聚合物介质薄膜中被俘获的正电荷(空穴)逃逸到并五苯薄膜中，提高并五苯有机半导体晶体管器件的编程/擦除可靠性及数据保持能力，提升并五苯有机场效应晶体管工作性能。
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公开(公告)号：CN112366274A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011153410.1
申请日：2020-10-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用n‑型半导体插层提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源(漏)电极的有机场效应晶体管器件中，在绝缘层和聚合物介质薄膜之间设置一n‑型半导体薄膜插层；n‑型半导体插层厚度为1‑200nm；通过n‑型半导体插层中界面处的感生电子降低并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压；通过调节n‑型半导体插层中n‑型载流子数量调节并五苯与聚合物介质界面处的空穴势垒高度至合理的范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的编程/擦除速度，良好的编程/擦除可靠性及数据保持能力。
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