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公开(公告)号：CN1208842C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03113462.9
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6%，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可能满足功耗要求不高的半导体中场效应晶体管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN115996617A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211128573.3
申请日：2022-09-16
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 南京大学
IPC: H10K71/00 , H10K30/80 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H10K39/15
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，其可至少部分解决现有太阳能电池中结构层难对齐，边缘质量差，影响电池性能的问题。本发明的太阳能电池的制备方法包括：在导电基层的第一侧的边缘区中形成隔离结构；所述边缘区为所述导电基层从边沿起沿径向向内侧预定尺寸的区域，所述隔离结构能阻止与其两侧接触的结构间的电导通；在所述导电基层的第一侧形成至少一个导电功能层；所述导电功能层在所述导电基层上的正投影的一部分，与所述隔离结构在所述导电基层上的正投影重合。
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公开(公告)号：CN1203527C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03131923.8
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法，该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶。并利用脉冲激光沉积技术，在高真空低氧分压下，剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1471137A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03131920.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 木发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1471138A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03131923.8
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法，该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶。并利用脉冲激光沉积技术，在高真空低氧分压下，剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1450661A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03113462.9
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6％，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1256756C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03131920.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1206739C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03113461.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成圆片，然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中进而制得铝酸锆薄膜。该发明提供的铝酸锆薄膜具有高的热力学稳定性，并具有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体场效应晶体管的实际应用要求。
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公开(公告)号：CN1450660A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03113461.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材；在氧气氛的生长室中进而制得铝酸锆薄膜。该发明提供的铝酸锆薄膜具有高的热力学稳定性，并具有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电系数栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。
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