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公开(公告)号：CN100541854C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610088390.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电阻开关效应的非易失相变存储元件的结构设计和制备方法，将固体电解质RbAg4I5膜(3)夹在反应电极银电极(4)和非反应电极铂电极(1)之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个存储单元。该存储单元连同衬底(7)和绝缘层(2)共有5层。在衬底(7)上沉积一层非反应电极铂电极(1)，在非反应电极铂电极(1)上沉积一层绝缘层(2)，在其中部刻蚀一个微孔(5)，露出非反应电极铂电极(1)，绝缘层(2)上再沉积一层RbAg4I5薄膜(3)，其上再沉积一层反应电极银电极(4)，在非反应电极铂电极(1)和反应电极银电极(4)上分别接出引线(6)。该存储元件具有体积小、结构简单、非易失、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。
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公开(公告)号：CN1889285A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610088390.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电阻开关效应的非挥发相变记忆元件的结构设计和制备方法，将固体电解质RbAg4I5膜(3)夹在反应电极(4)和非反应电极(1)之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个记忆单元。该记忆单元连同衬底(7)和绝缘层(2)共有5层。在衬底(7)上沉积一层非反应电极(1)，在非反应电极(1)上沉积一层绝缘层(2)，在其中部刻蚀一个微孔(5)，露出非反应电极(1)，绝缘层(2)上再沉积一层RbAg4I5薄膜(3)，其上再沉积一层反应电极(4)，在非反应电极(1)和反应电极(4)上分别接出引线(6)。该记忆元件具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。
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