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公开(公告)号：CN101074162A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710024628.5
申请日：2007-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种具有γ－Bi2O3构造的多铁性陶瓷材料，由两种不同价态的过渡金属离子掺杂的Bi2O3，用公式BiM1－xNxO3表示，其中M为V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni或Cu中的一种，其中N为V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni或Cu中的一种，但M和N不同时为一种元素，其中X值为0－1。其制法按M及N的掺杂浓度1－x及x来称量Bi2O3和M及N的氧化物原料，使得金属离子的摩尔浓度比例为：Bi∶M∶N＝1∶(1－x)∶x；将原材料进行球磨；将球磨后的浆体烘干；将烘干后的粉末用研钵充分研磨，压片成型；放进箱式电炉中烧结，使得陶瓷小片结晶成γ－Bi2O3构造。该陶瓷材料应用在磁性信息，铁电信息及磁性及铁电多态信息记录材料。
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公开(公告)号：CN101864592A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010172495.8
申请日：2010-05-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于铁电金属异质结的忆阻器，其中忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下，并通入氧气，氧气压25～35Pa间，将衬底温度升到600～650℃间；启动KrF准分子激光器，根据单脉冲能量，确定沉积时间，沉积厚度为30nm～200nm厚LN薄膜；原位500～650℃退火20～90min；该薄膜具有自发极化和180°畴界。将忆阻器铁电铌酸锂薄膜夹在两金属电极膜之间构成微型三明治结构忆阻器单元。该器件可应用于高密度低能耗非易失性阻变存储器。
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公开(公告)号：CN105486314A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510824899.3
申请日：2015-11-24
Abstract: 本发明公开了两种拉格朗日导航星座及其构建方法，其中一种导航星座由三颗拉格朗日导航星构成，三颗拉格朗日导航星分别位于三条周期轨道上，该三条周期轨道分别为：在地—月系平动点L2附近构建的第一周期轨道、在地—月系平动点L4附近构建的第二周期轨道、在地—月系平动点L5附近构建的第三周期轨道；另一种导航星座由四颗拉格朗日导航星构成，四颗拉格朗日导航星分别位于四条周期轨道上，该四条周期轨道除了包含前述的三条外，还包括：在地—月系平动点L1附近构建的第四周期轨道。该两种拉格朗日导航星座能够实现对月球空间的无缝覆盖，从而可以为月球探测器提供连续的导航信息。
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公开(公告)号：CN103426920A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310392148.X
申请日：2013-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/51 , H01L27/115
Abstract: 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易失性电荷俘获型存储器件的结构为半导体基片上顺序生长隧穿层Al2O3/存储层薄膜(CuO)X(Al2O3)1-x/阻挡层Al2O3，(CuO)x(Al2O3)1-x为存储层，电荷存储材料(CuO)X(Al2O3)1-x通过退火得到的CuO纳米微晶起到存储介质材料的作用。
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公开(公告)号：CN101527349B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910029312.4
申请日：2009-04-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527349A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910029312.4
申请日：2009-04-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN103426920B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310392148.X
申请日：2013-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/51 , H01L27/115
Abstract: 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易失性电荷俘获型存储器件的结构为半导体基片上顺序生长隧穿层Al2O3/存储层薄膜(CuO)X(Al2O3)1-x/阻挡层Al2O3，(CuO)x(Al2O3)1-x为存储层，电荷存储材料(CuO)X(Al2O3)1-x通过退火得到的CuO纳米微晶起到存储介质材料的作用。
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公开(公告)号：CN104130779A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410310688.3
申请日：2014-07-01
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/80
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种白光LED用黄色荧光粉，化学式为Y2.94-xCe0.06K3xAl5O12-1.5xF3x，0＜x≤0.24。本发明还公开了其制备方法：按化学计量比称取各原料，充分混合后加入乙醇球磨得到浆料；将浆料干燥之后在1200℃～1400℃下预烧3～12h，自然冷却至室温，得到预烧反应物；将预烧反应物研磨之后在还原气氛下加热至1500℃～1600℃，保温5～12h，自然冷却至室温；研磨后得到所述白光LED用黄色荧光粉。本发明黄色荧光粉的发射光谱中心能够从540nm最大红移至585nm。本发明掺杂使用的原料KF成本低廉，并且起到助熔剂作用增加发射光强。
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公开(公告)号：CN102604634B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201210031129.X
申请日：2012-02-10
Applicant: 南通南京大学材料工程技术研究院
IPC: C09K11/80
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种白光LED用黄色荧光粉，化学式为化学组分可调，所述的荧光粉其化学组分调节范围如下：x取值范围为0.01～0.07，z取值范围为0～1.5(不包含0)，x、y、z间满足下列关系：(3-x-y)×3+3x+2z+15＝24。在蓝光LED芯片所发射的蓝光照射下，并与蓝光LED芯片所发部分蓝光混合后组合发出白光的荧光粉，该荧光粉在自然的光线照射下呈黄色。
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公开(公告)号：CN102584012A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210030094.8
申请日：2012-02-10
Applicant: 南通南京大学材料工程技术研究院
IPC: C03C3/19
Abstract: 本发明提供一种低熔点光学玻璃，包含P2O5、ZnO、B2O3及Li2O、Na2O和K2O组分的化学原料制备而成；各组分所占质量摩尔百分数分别为：P2O5：20-65％，ZnO：23-40％，B2O3：7％-36％，(Li2O+Na2O+K2O)：3-8％；其中Li2O至少要占2％。将含有上述组分的氧化物或碳酸盐原料按化学配比称量后混合均匀，置于铂金坩埚中，在900℃-1300℃的电炉中融化1-3小时，淬火后获得。其特点是不含Bi2O3，呈无色透明，对可见光具有高的透过率。
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