公开(公告)号：CN101527349B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910029312.4

申请日：2009-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 蒋坤 ,  夏奕东 ,  徐波 ,  国洪轩 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。

公开(公告)号：CN101527349A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910029312.4

申请日：2009-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 蒋坤 ,  夏奕东 ,  徐波 ,  国洪轩 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。