公开(公告)号：CN105575830A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510712706.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  柳本博 ,  平冈基记

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/83805

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。

公开(公告)号：CN105518841A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048461.4

申请日：2014-08-29

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  平野敬洋 ,  川岛崇功 ,  奥村知巳 ,  西畑雅由

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L23/051 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置(20)，其包括：对置的第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)；多个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)，它们每个介于第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)之间；金属块(44、50、314、316)，其介于第一金属板(36、56)和每个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)之间；焊料构件(46、52)，其介于第一金属板(36、56)和金属块(44、50、314、316)之间并且将第一金属板(36、56)连接至金属块(44、50、314、316)；以及注塑树脂(74)，其密封半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)和金属块(44、50、314、316)。第一金属板(36、56)的一面，其为金属块(44、50、314、316)经由焊料构件(46、52)连接至第一金属板(36、56)的一面的对置侧，暴露于注塑树脂(74)外。第一金属板(36、56)具有沿着其中设置有焊料构件(46、52)的区域的外周形成的凹槽(70、72)，凹槽(70、72)共同围绕焊料构件(46、52)，以便防止焊料构件(46、52)在第一金属板(36、56)的黏结面上散布。每个半导体元件(26、30、206、210、306、310)可以是功率半导体开关元件，诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)，其在转换电功率时进行开关操作，以及每个半导体元件(28、32、208、212、308、312)可以是为了在中断对应的一个半导体元件(26、30、206、210、306、310)时循环电流所需要的回流二极管。

公开(公告)号：CN102593091A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210013261.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  奥村知巳 ,  三好达也

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/473 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块，其包括：金属块；半导体装置，其经由焊料层而安装于所述金属块的表面的半导体装置安装区域中；以及模压部，其通过在所述金属块和所述半导体装置上对树脂进行模压而形成；其中所述金属块的所述表面包括电镀区域和粗化区域，并且所述半导体装置安装区域设置在所述电镀区域中。

公开(公告)号：CN107104056B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201610989359.5

申请日：2016-11-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  武直矢

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其目的在于，在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu，Ni)6Sn5。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融，从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。在第二热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融，从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。而且，在第三热处理工序中，使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使第一部件与第二部件相互接合。

公开(公告)号：CN108630652A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810224113.8

申请日：2018-03-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高萩智 ,  舟野祥 ,  门口卓矢 ,  花木裕治 ,  岩崎真悟 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上，设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内，并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时，金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。

公开(公告)号：CN108573937A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810182489.7

申请日：2018-03-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高萩智 ,  舟野祥 ,  门口卓矢 ,  花木裕治 ,  岩崎真悟 ,  川岛崇功

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/488 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367

Abstract: 本说明书公开一种半导体装置，具备：第一及第二半导体元件，在两个面具备电极；第一及第二金属板，夹着第一半导体元件，通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合；及第三及第四金属板，夹着第二半导体元件，通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中，从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头，这些接头由第三焊料接合，第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高，且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。

公开(公告)号：CN105914188B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610101386.4

申请日：2016-02-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  中岛清文 ,  田中悠人 ,  井手勇辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/33 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体模块具有层叠半导体装置、绝缘片以及冷却器而成的构造。半导体装置由半导体元件、与半导体元件连接的导热板、以及对半导体元件和导热板进行封固的树脂成型件构成。树脂成型件的侧面相对于正交于树脂成型件的与绝缘片接触的接触面的正交方向而以远离树脂成型件的中心的方式倾斜。侧面相对于正交方向的倾斜角为3°以上17°以下。

公开(公告)号：CN103871989B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310654629.3

申请日：2013-12-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢

IPC: H01L23/485

Abstract: 半导体装置。根据本发明的半导体装置（1）包括：平板形式的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于半导体元件（2）的第一表面侧上的控制布线（4）；金属块（8），所述金属块经由焊料层接合到半导体元件（2）的第一表面侧；和保护膜（7a），所述保护膜形成在金属块（8）和绝缘层（6）之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或者大于金属块（8）的硬度。当从第一表面侧观察时，保护膜（7a）形成在至少包括金属块（8）的边缘部分和控制布线（4）相互交叉的位置的区域中。

公开(公告)号：CN104160493B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380012899.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  岩崎真悟 ,  持田晶良 ,  奥村知巳

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，将多组功率单元在预定方向上排列配置，且将该多组功率单元一体地进行树脂封装，所述功率单元中，多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上，所述半导体装置中，在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体，其中，所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间，所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。

公开(公告)号：CN103493197B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201280018795.8

申请日：2012-04-18

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社 ,  电装

Inventor： 门口卓矢 ,  岩崎真悟 ,  川岛崇功 ,  奥村知巳 ,  西畑雅由

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L24/30 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一半导体元件10）；第一厚板部（31），由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极（11）；第二半导体元件（20），其主表面面向第一半导体元件的主表面；第二厚板部（32），由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极（21）；第三厚板部（41），由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极（12）；第四厚板部（42），由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极（22）；第一薄板部（33、34），由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄；以及第二薄板部（43、44），由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。