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公开(公告)号：CN105384145B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510808468.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 毛海央
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成具有开口的刻蚀阻挡层；在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构；进行各向异性刻蚀，在所述衬底的开口处形成内嵌式纳米森林结构；去除所述纳米掩模结构及所述刻蚀阻挡层。由于内嵌式纳米森林结构的顶部可以与另一衬底的平整表面无缝贴合，且所述纳米掩模结构能完全覆盖所述开口区域，进行各向异性刻蚀后形成的内嵌式纳米森林结构的边缘部分不会存在空缺，避免DNA分子从纳米森林结构与微流道的间隙流过。
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公开(公告)号：CN105384145A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510808468.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 毛海央
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B1/00
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成具有开口的刻蚀阻挡层；在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构；进行各向异性刻蚀，在所述衬底的开口处形成内嵌式纳米森林结构；去除所述纳米掩模结构及所述刻蚀阻挡层。由于内嵌式纳米森林结构的顶部可以与另一衬底的平整表面无缝贴合，且所述纳米掩模结构能完全覆盖所述开口区域，进行各向异性刻蚀后形成的内嵌式纳米森林结构的边缘部分不会存在空缺，避免DNA分子从纳米森林结构与微流道的间隙流过。
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公开(公告)号：CN105084305A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510338283.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体轰击聚合物层，以形成柱状纳米结构；以柱状纳米结构为掩蔽，对衬底进行各向异性刻蚀，以形成锥状纳米结构；去除柱状纳米结构。该方法工艺简单且可控性强，可以批量、并行加工纳米结构，适用于大规模的商业化生产。
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公开(公告)号：CN112520688B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202011269623.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米森林结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面涂覆聚合物层；对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理：S1、通过第一等离子体进行刻蚀，S2、通过第二等离子体进行重聚形成纳米森林结构。本发明采用特殊的干法刻蚀工艺制作纳米森林结构，通过改变刻蚀与重聚的工艺参数，或者通过改变刻蚀与重聚的循环次数，可以有效控制纳米森林结构的尺寸和密度，从而得到精确可控的纳米森林结构。该制备方法具有加工成本低、加工精度高、制备工艺简单的优点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118969773A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043120.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种nTSV‑BPR电学测试结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：提供衬底并对衬底进行刻蚀形成BPR沟道；沉积BPR导电材料以填充BPR沟道；对沉积的BPR导电材料进行刻蚀，形成所需形状的BPR；对衬底中的Si层进行同质外延形成外延Si层，外延Si层对BPR形成覆盖；对外延Si层进行刻蚀，形成纳米硅通孔；在纳米硅通孔表面沉积侧壁介质层；沉积纳米硅通孔导电材料以填充纳米硅通孔，形成nTSV填充层；在nTSV填充层上方进行沉积并刻蚀形成金属导电层。本发明的方法形成的nTSV与BPR的电学互连测试结构，不需要采用键合工艺，避免了晶圆键合造成的晶圆畸变，解决了BPR与nTSV的对准困难问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118392949A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198469.4
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本说明书实施例提供了一种用于测量选育湿度的湿度传感系统及其湿度测量方法，系统包括：湿度传感器、处理芯片和帕尔贴；所述帕尔贴与所述湿度传感器的湿敏区域连接；所述处理芯片用于接收所述湿度传感器发送的湿度信号；根据所述湿度信号控制帕尔贴通电方向。本申请提供的技术方案用以解决现有技术中现有湿度传感器的有效湿度测量范围与上述空间湿度变化范围不匹配的问题。
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公开(公告)号：CN116337226A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310513027.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种MEMS热电堆紫外探测器及其制备方法，涉及半导体技术领域。MEMS热电堆紫外探测器，包括：MEMS热电堆紫外探测单元、纳米森林单元和设置在所述纳米森林单元四周表面的金属颗粒单元，所述纳米森林单元设置在所述MEMS热电堆紫外探测单元上方；所述金属颗粒单元用于增加紫外辐射吸收率，从而提升实现对10‑400纳米波段紫外辐射的高灵敏探测，在提高了探测灵敏度的同时扩大了检测范围。
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公开(公告)号：CN111540824B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010389904.3
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种热电堆及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用博世刻蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行第一步刻蚀释放；采用反应离子刻蚀，进行衬底的第二步刻蚀释放，得到完全释放的背腔和保持完整的热电堆结构，完成热电堆的制备。本发明采用常规衬底，通过干法刻蚀释放工艺，分步对衬底进行刻蚀释放，在保持热电堆结构完整性的同时，制作出热电堆器件。
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公开(公告)号：CN115884653A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211611202.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置，本发明涉及器件性能提升领域，用于解决现有技术中无法同时进行器件性能提升和器件测试的问题及器件性能提升方法复杂的问题。包括：打点器、测试设备、热电堆传感器以及位置移动控制器；位置移动控制器包括第一位置移动控制器以及第二位置移动控制器；第一位置移动控制器设置有打点器及测试设备，在水平方向和竖直方向上移动；第二位置移动控制器上设置有载物台，热电堆传感器放置在载物台上；热电堆传感器在水平方向和竖直方向上移动；打点器将墨点覆盖在热电堆传感器中满足预设条件的器件表面，完成对热电堆传感器的性能提升；测试设备对热电堆传感器进行测试，墨点的直径与厚度可调。
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公开(公告)号：CN114993952A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210642135.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种多功能SERS检测方法及系统。其提供SERS检测传感器以及对待测样品检测时，将拉曼测试系统所产生的拉曼激光对SERS检测传感器以及所述SERS检测传感器上的待测样品辐照，利用SERS信号采集系统采集待测样品在拉曼激光辐照下的SERS信号；同时，利用器件信号采集系统采集SERS检测传感器电信号，以根据所采集的SERS检测传感器电信号确定拉曼测试系统产生辐照拉曼激光的拉曼激光功率，且根据SERS信号以及所确认的拉曼激光功率确定待测样品的种类以及浓度。本发明在SERS检测的同时可以确定照射到待测样品表面的拉曼激光功率，从而结合所确定的拉曼激光功率准确获得物质种类和浓度信息，提高SERS检测的准确性。
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