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公开(公告)号：CN118405654A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410230626.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种热电绝缘的等效悬浮结构及其制备方法，该等效悬浮结构包括：具有背腔结构的基底；在所述基底的一面设置有支撑层，所述支撑层开设有多个贯穿所述支撑层的隔离槽，所述隔离槽内填充有热电绝缘材料，所述隔离槽在预设平面上的正投影均位于所述背腔结构在所述预设平面的正投影内，所述预设平面为所述基底所在的平面。本公开通过在悬浮结构的有效工作区域与基底间的隔离槽中填充低热导率的热电绝缘材料，降低悬桥的应力，提升结构的寿命及稳定性，在确保结构高机械强度的同时，使结构具有低热传导，降低热损耗，提升性能。
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公开(公告)号：CN116164844A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310127560.2
申请日：2023-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种多波段紫外红外复合火焰探测器、其控制方法和电子设备，涉及火焰探测器技术领域，包括：信号处理单元，以及分别与信号处理单元连接的一个MEMS热电堆紫外传感器、至少两个MEMS热电堆红外传感器和警报单元；信号处理单元用于接收一个MEMS热电堆紫外传感器和至少两个MEMS热电堆红外传感器传输的对应波段辐射信号，基于对应波段辐射信号结合卷积学习算法进行特征提取处理，在提取到的实际特征值与预存火焰特征数据库中的火焰条件特征匹配时，控制警报单元进行报警提示处理，可以有效的提高火焰识别准确率，有效的避免误报警，适应范围广。
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公开(公告)号：CN112563402A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011262952.2
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层，任选地经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。本发明工艺简单，为制作悬桥结构的热电堆提供了便利。
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公开(公告)号：CN109987580A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910304292.0
申请日：2019-04-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种纳米森林结构的制备方法及纳米森林结构的调控方法。该纳米森林结构的制备方法包括以下步骤：S1，采用包括偶联剂和聚合物的混合物在衬底上形成薄膜层；S2，对薄膜层进行等离子体轰击，形成纳米森林结构。采用等离子体对聚合物层进行轰击，能够使聚合物产生的部分产物再次聚合，以形成森林纳米结构，而本发明通过在聚合物的基础上增加偶联剂，在进行等离子体轰击过程中，薄膜层中的聚合物和偶联剂的基团被激活，偶联剂的有机基团和无机基团分别与聚合物的有机基团和无机基团相互连接，同时偶联剂的有机基团之间发生交联作用，从而被等离子体轰击产生的活性基团再次聚合，原混合物层消失，同样形成了纳米森林结构。
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公开(公告)号：CN109847815A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811480673.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种可扩展倍比稀释微流控芯片，由盖片与基底组成，上层为加工有方波形微流道网络结构的盖片，下层为平板基底，上层盖片与下层基底通过键合形成封闭的微流道网络；微流道两端的两个进样口、N个出样口与外界的软质导管相连，N是≥1的整数，N个出口代表对待稀释液体样品所进行稀释的级数；恒定正压下通过微注射泵将微注射器中的待稀释试剂样品与稀释剂加入进样口，出样口处的软质导管与倍比稀释后样品的收集装置相连构成微流控芯片；进样口有过滤槽，过滤槽内设有一排有一定间距的相同矩形阻挡块；每一级稀释模块都由混合流道与连接流道构成，混合流道与连接流道长度固定；每一级稀释区域的方波形混合流道内拐角处设置交错排列的矩形挡板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106629577B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201611265716.X
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法，其中，MEMS红外光源包括衬底、支撑层、金属电极、热偶条结构层、加热电阻层、隔离保护层和辐射层，所述热偶条结构层形成在红外光源内部芯片，形成耦合热电堆形成温度传感器，采用热电堆耦合的温度传感器实时监测红外光源的辐射温度变化，由于热电堆耦合的温度传感器制作工艺成熟，测量精度高，温度测量范围大，具有高灵敏度和稳定性的优势，可有效提高NDIR系统的探测精度和分辨率，在NDIR气体传感领域有应用前景。由于MEMS红外光源的各个结构均可以采用CMOS或MEMS工艺制作，从而便于与MEMS红外光源内部芯片的制作工艺兼容，减小了MEMS红外光源的制作工艺难度。
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公开(公告)号：CN104931480A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510338662.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种SERS基底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体直接对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。该方法形成的SERS基底，可以有效增强拉曼散射信号，工艺简单且可控性强，适用于大规模的商业化生产。
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公开(公告)号：CN112563402B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011262952.2
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层，任选地经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。本发明工艺简单，为制作悬桥结构的热电堆提供了便利。
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公开(公告)号：CN111964794B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010874173.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN118173117A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410313069.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种无声语音识别方法及系统，该方法包括利用无声语音采集设备中的湿度传感器采集用户的口腔区域的湿度，得到湿度信号；对湿度信号进行预处理并提取时频特征，得到特征数据；将特征数据输入至预先训练的识别模型中进行识别，得到识别结果并输出识别结果。通过非接触式的方法采集用户说话时口腔区域的湿度，使采集到的湿度信号不受其他信号影响，提高信号采集的抗干扰能力和稳定性；通过提取预处理后的湿度信号中的时频特征，得到特征数据，利用预先训练的识别模型识别特征数据得到识别结果，提高了识别结果的可靠性和准确性。
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