公开(公告)号：CN118405654A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410230626.5

申请日：2024-02-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毛海央 ,  张起睿 ,  周娜 ,  石梦 ,  施一直 ,  郭启明

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D11/00

Abstract: 本公开提供了一种热电绝缘的等效悬浮结构及其制备方法，该等效悬浮结构包括：具有背腔结构的基底；在所述基底的一面设置有支撑层，所述支撑层开设有多个贯穿所述支撑层的隔离槽，所述隔离槽内填充有热电绝缘材料，所述隔离槽在预设平面上的正投影均位于所述背腔结构在所述预设平面的正投影内，所述预设平面为所述基底所在的平面。本公开通过在悬浮结构的有效工作区域与基底间的隔离槽中填充低热导率的热电绝缘材料，降低悬桥的应力，提升结构的寿命及稳定性，在确保结构高机械强度的同时，使结构具有低热传导，降低热损耗，提升性能。

公开(公告)号：CN118392949A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410198469.4

申请日：2024-02-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周娜 ,  施一直 ,  毛海央 ,  石磊 ,  郭启明 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: G01N27/22

Abstract: 本说明书实施例提供了一种用于测量选育湿度的湿度传感系统及其湿度测量方法，系统包括：湿度传感器、处理芯片和帕尔贴；所述帕尔贴与所述湿度传感器的湿敏区域连接；所述处理芯片用于接收所述湿度传感器发送的湿度信号；根据所述湿度信号控制帕尔贴通电方向。本申请提供的技术方案用以解决现有技术中现有湿度传感器的有效湿度测量范围与上述空间湿度变化范围不匹配的问题。

公开(公告)号：CN118392319A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410198966.4

申请日：2024-02-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毛海央 ,  石磊 ,  周娜 ,  施一直 ,  石梦 ,  张起睿 ,  郭启明 ,  吴晋涛

IPC: G01J5/12

Abstract: 本公开提供了一种热电堆智能温度传感系统，包括：探测器、处理器以及执行器；其中，所述探测器被配置为通过冷端探测环境温度，通过热端探测待测目标的温度，并根据所述冷端和所述热端之间的温差输出第一热电动势；所述处理器被配置为根据所述第一热电动势，向所述执行器发送调控指令；所述执行器被配置为根据所述调控指令，对所述探测器的冷端所探测的环境温度进行调节。本公开通过在传感器中集成执行器以实现对探测器的冷端所探测到的环境温度的调节，提升第一探测器和第二探测器所探测的温度之间的差值，使探测器输出远大于噪声，便于处理器基于预先标定的方式得到待测目标的准确温度，实现精准测量。

公开(公告)号：CN119133087A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411134235.X

申请日：2024-08-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周娜 ,  刘欣 ,  施一直 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种纳米级硅通孔及其制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；采用Bosch工艺在半导体衬底表面制备纳米级沟槽；采用原子层刻蚀工艺对纳米级沟槽的侧壁进行刻蚀形成光滑的侧壁；采用原子层沉积工艺沉积介电层；采用原子层沉积工艺沉积阻挡层；采用原子层沉积工艺沉积金属层。本发明将博世(Bosch)工艺与精确可控的原子层刻蚀(ALE)技术和原子层沉积(ALD)技术相结合。通过ALE技术降低侧壁表面的粗糙度，消除Bosch工艺产生的scallop从而获得光滑的侧壁，接着使用ALD技术来进行介质层和金属层的完全填充，最终构建性能优异的背面供电网络。该方法有效解决了Bosch工艺带来的scallop以及nano‑TSV均匀填充的问题。

公开(公告)号：CN118398169A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311250571.6

申请日：2023-09-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周娜 ,  施一直 ,  毛海央 ,  杨华彬 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: G16H20/70 ,  A61M21/02 ,  A61M21/00 ,  G16H10/65 ,  G16H50/50 ,  G06N3/0442

Abstract: 本公开提供了一种基于深度学习的睡眠调控方法、系统、存储介质及设备，该方法包括：采集用户的当前睡眠指标；将当前睡眠指标输入至深度学习模型，并且将当前睡眠指标存储至用户的个人信息数据库；深度学习模型结合个人信息数据库和用户的入睡时间，以当前睡眠指标作为输入，输出用户的睡眠状态预测曲线；根据睡眠状态预测曲线和用户的预定唤醒时间，生成匹配用户的睡眠调控方案；根据睡眠调控方案对用户的睡眠状态进行基于预设方式的调控。本公开利用深度学习模型预测睡眠状态变化，结合预定唤醒时间自动生成睡眠调控方案，并基于该睡眠调控方案对用户的睡眠状态进行主动调控确保使用者在预定唤醒时间处于浅睡状态，提升用户的睡眠质量。

公开(公告)号：CN118108175A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410168731.0

申请日：2024-02-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周娜 ,  施一直 ,  毛海央 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B82Y40/00 ,  G01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米真空计及其制备方法，涉及真空度检测技术领域，用于提供一种成本低廉、工艺简单，与CMOS工艺相兼容且易于实现的多晶硅纳米线真空计的技术方案。所述硅基纳米真空计的制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底，在所述硅衬底上依次形成氧化物层以及多晶硅层；对所述多晶硅层进行掺杂处理和退火处理；采用类原子层刻蚀技术对掺杂和退火后的所述多晶硅层进行刻蚀处理，得到多晶硅类纳米线结构；对所述多晶硅类纳米线结构进行热处理，得到多晶硅纳米线结构，其中，所述多晶硅纳米线结构包括至少两根纳米线，所述至少两根纳米线沿水平方向或者垂直方向并联设置；在所述多晶硅纳米线结构上形成电极结构。